مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,261
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه

صفحات

 صفحه شروع 99 | صفحه پایان 111

چکیده

 در این مقاله ساختار جدید δ-doped LDD HMESFET را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت, استفاده از ساختار نا همگون HMESFET است؛ یعنی از سورس AlxGa1-x As در مجاورت کانال  GaAsاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولیAl ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (ΔEG) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. اما افزایش بیش از حد x, مراکز DX را افزایش داده موجب کاهش جریان می شود. لذا برای اجتناب از افزابش مراکزDX , باید به روش دیگری روی آورد. رویکرد جایگزین پیشنهاد شده در این مقاله استفاده از لایه های نا خالصی دلتا گونه (δ-doping) در فصل مشترک سورس - کانال است. این کار موجب افزایش ناپیوستگی در گاف نوار در فصل مشترک سورس - کانال می شود. افزایشΔEG , معادل افزایش درصد مولی Al است. در این مقاله با شبیه سازی ساختار پیشنهادی با درصد مولی Al کمتر از اندازه استفاده شده در ترانزیستور مرجع [1], نشان می دهیم که متوسط سرعت الکترون, بدون در نظر گرفتن مراکزDX , در دو ترانزیستور برابر است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    مروج فرشی، محمدکاظم، ثقفی، کامیار، و احمدی، وحید. (1382). ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه. فنی و مهندسی مدرس، -(13)، 99-111. SID. https://sid.ir/paper/417858/fa

    Vancouver: کپی

    مروج فرشی محمدکاظم، ثقفی کامیار، احمدی وحید. ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه. فنی و مهندسی مدرس[Internet]. 1382؛-(13):99-111. Available from: https://sid.ir/paper/417858/fa

    IEEE: کپی

    محمدکاظم مروج فرشی، کامیار ثقفی، و وحید احمدی، “ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه،” فنی و مهندسی مدرس، vol. -، no. 13، pp. 99–111، 1382، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/417858/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی SID
    strs
    دانشگاه امام حسین
    بنیاد ملی بازیهای رایانه ای
    کلید پژوه
    ایران سرچ
    ایران سرچ
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button