Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,132
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانوساختارهای فرومغناطیسی نیمه هادی- فلزی

صفحات

 صفحه شروع 65 | صفحه پایان 66

چکیده

 مقدمه: در این مقاله خواص مغناطیسی و ساختاری لایه های نازک فرومغناطیسی آهن بر روی سیلیسیوم گزارش شده است. ریخت شناسی نانوساختارهای Fe/Si توسط تصاویر حاصل از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) نشان داده شده است. مشخصه حوزه های مغناطیسی و دیواره های بین آنها توسط تصاویر حاصل از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) و نیز مغناطش سنج نیروی گرادیان میدان متناوب (AGFM) بررسی گردیده است. ضخامت لایه های نازک آهن بین 50 تا 150 نانومتر متغیر می باشد. در این مطالعه اثرات ضخامت در ناهمسانگردی مغناطیسی لایه های نازک رشد داده شده بر روی زیرلایه هایی از جنس نیمه هادی, مورد توجه قرار گرفته است.هدف: بررسی وابستگی ضخامت لایه ها بر روی ناهمسانگردی موثر و حلقه پسماند بویژه در حالتیکه لایه بر روی یک نیمه هادی رشد یافته است, مورد توجه می باشد. برای نشان دادن ساختار حوزه های مربوط به Fe/Si(100) وFe/Si(111)  تصاویر MFM همراه با منحنی های پسماند مورد استفاده قرار می گیرند.مواد و روش: لایه های آهن به روش تبخیر حرارتی نشانده شده اند. در اینجا پودر آهن %99.99 درصد که با استفاده از تفنگ الکترونی تبخیر می شود, بکار گرفته شده است. لایه های نشانده شده از ضخامت 50 تا 150 نانومتر متغیراند. ساختار بلوری این لایه ها توسط دستگاه پراش اشعه ایکس مورد بررسی قرار می گیرد. خواص مغناطیسی را همچنین با استفاده از MFM و منحنی های پسماند تجربی بدست آمده توسط دستگاه  AGFMاندازه گیری می شوند.نتایج: لایه آهن با ضخامت 50 نانومتر, رشد یافته بر روی Si(100) و Si(111) دارای بافت (110) و ساختار bcc است. میدان بازگرداننده در مورد لایه آهن, 100 اورستد اندازه گیری شد. حلقه های پسماند نشان میدهد که میدان بازگرداننده هنگامی که میدان اشباع افزایش می یابد, کاهش خواهد یافت و سبب افزایش ناهمسانگردی با افزایش چگالی پله ای خواهد شد.نتیجه گیری: دیاگرام های پسماند نشان می دهند که نمونه های فرومغناطیسی از مشخصات خوبی برخوردارند. ناهمسانگردی موثر در این لایه ها نیز از خاصیت تناوبی برحسب ضخامت لایه ها برخوردار است.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    ذوالانواری، عبدالعلی، صادقی، حسین، و نظام دوست، جعفر. (1390). حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانوساختارهای فرومغناطیسی نیمه هادی- فلزی. علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)، 21(79 (ویژه نامه فیزیک))، 65-66. SID. https://sid.ir/paper/460183/fa

    Vancouver: کپی

    ذوالانواری عبدالعلی، صادقی حسین، نظام دوست جعفر. حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانوساختارهای فرومغناطیسی نیمه هادی- فلزی. علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)[Internet]. 1390؛21(79 (ویژه نامه فیزیک)):65-66. Available from: https://sid.ir/paper/460183/fa

    IEEE: کپی

    عبدالعلی ذوالانواری، حسین صادقی، و جعفر نظام دوست، “حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانوساختارهای فرومغناطیسی نیمه هادی- فلزی،” علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)، vol. 21، no. 79 (ویژه نامه فیزیک)، pp. 65–66، 1390، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/460183/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی





    مرکز اطلاعات علمی SID
    strs
    دانشگاه امام حسین
    بنیاد ملی بازیهای رایانه ای
    کلید پژوه
    ایران سرچ
    ایران سرچ
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا