مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله همایش

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

251
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

77
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله همایش

عنوان

بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 در این پژوهش اثر میزان تخلخل برخواص فتودیودی نمونه های چندلایه ای CdO/PSi/Si روش طیف سنجی تونلی روبشی (SpectroscopyScanning Tunneling) مطالعه شد. لایه سیلیکن متخلخل (PSi) کمک آندایزالکتروشیمیایی سیلیکین نوع p+ ولایه اکسید کادمیم (CdO) به روش لایه نشانی لیزر پالسی و در فشار 10-5 torr ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت 10 دقیقه در دمای 500oC پخت کردیم تا کمبود اکسیژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لایه متخلخل، و مورفولوژی لایه اکسید کادمیم به روشهای AFM و SEM بررسی شدند. طیف XRD و طیف عبور اپتیکی به منظور بررسی خواص کریستالی و تعیین شکاف انرژی اکسید کادمیم استفاده شدند. با تغییر پارامترهای موثر در آندایز الکتروشیمیایی سیلیکن، نمونه های CdO/PSi/Si با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. بررسی منحنی جریان - ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاریکی به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) وجود یک درصد تخلخل بهینه را به منظور بهبود خواص فتودیودی نمونه ها نشان داد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    صمدپور، محمود، ایرجی زاد، اعظم، مهدوی، سیدمحمد، و آذریان، عباس. (1386). بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS). کنفرانس ملی خلاء ایران. SID. https://sid.ir/paper/810225/fa

    Vancouver: کپی

    صمدپور محمود، ایرجی زاد اعظم، مهدوی سیدمحمد، آذریان عباس. بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS). 1386. Available from: https://sid.ir/paper/810225/fa

    IEEE: کپی

    محمود صمدپور، اعظم ایرجی زاد، سیدمحمد مهدوی، و عباس آذریان، “بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)،” presented at the کنفرانس ملی خلاء ایران. 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/810225/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button