کنفرانس ملی خلاء ایران
سال:1386 | دوره:3 |تعداد مقالات:40

در این کار تجربی لایه های نازکی از تیتانیوم با استفاده از دستگاه کندوپاش مگنترونی تحت شرایط متفاوت بر روی زیر لایه های شیشه ای تهیه و تاثیر چهار پارامتر مهم دما ی زیرلایه، فشار گاز کاری (آرگن)، انرژی یون های تولید شده در پلاسما و فشار پایه بر روی چسبندگی این لایه ها به زیرلایه های شیشه ای مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصله نشان می دهد که چسبندگی لایه های نازک تیتانیومی به زیرلایه های شیشه ای با افزایش دمای زیرلایه افزایش، با افزایش فشار پایه افزایش و با افزایش فشار گاز آرگن کاهش پیدا می کند. افزایش انرژی یونهای فرودی نیز موجب افزایش چسبندگی لایه ها به زیرلایه می گردد. همچنین علل تغییرات مشاهده شده در چسبندگی در اثر افزایش دمای زیرلایه، فشار گاز آرگن، انرژی یونهای فرودی و فشار پایه مورد بحث قرار گرفته است.

آنالیز با باریکه یونی ابزاری توانمند در آنالیز و مشخصه یابی مواد است. برخی از این روشها مانند پیکسی به صورت روزمره از سال 1355 در آزمایشگاه واندوگراف به کار می رود. استفاده از روشهای دیگری مانند میکروپیکسی و چانلینگ و ERD از سال 1378 آغاز شد. در این مقاله پس از مروری کوتاه بر روشهای آنالیز با باریکه یونی که در آزمایشگاه ما به کار می رود به کاربرد این آنالیزها در مشخصه یابی مواد و بخصوص لایه های نازک می پردازیم و با ذکر مثال توانمندی های این روشها را نشان می دهیم.

آهنگ و تابع رشد ناپایداری رامان رو به جلو مربوط به تابش یک لیزر پیکوثانیه با شدت (I£1018W/cm2) به یک پلاسمای سرد کم چگال در حالت نسبیتی ضعیف محاسبه شده و نشان داده می شود که منبع تولید این نا پایداری امواج الکترومغناطیسی پراکنده شده بنام امواج استوکس و آنتی استوکس هستند بطوریکه نیروی پاندرموتیو حاصل ازآنها باعث ایجاد امواج ردپایی پلاسمایی و در نتیجه مدوله شدن چگالی پلاسما می شود . با گذشت زمان با افزایش دامنه امواج استوکس و آنتی استوکس، دامنه امواج ردپایی ودرنتیجه دامنه نوسانات چگالی در پلاسما افزایش یافته و به این ترتیب ناپایداری رامان که در چهارمرحله رخ می دهد، باآهنگ مشخصی در پلاسما رشد می کند.

در این گزارش، به دلیل بالاتر بودن خواص اپتیکی غیر خطی فلزات نسبت به مواد دیگر و نیز پایین بودن ضریب عبور لایه های فلزی با ضخامت های بیشتر از عمق نفوذ، رفتار و چگونگی تولید کریستالهای فوتونیکی یک بعدی فلز -دی الکتریک با ضریب عبور بالا، مورد بررسی قرار گرفته است. در این نوع از مواد ترکیبی با خواص اپتیکی غیر خطی بالا، ضریب عبور از سازه Glass /(Cu-Mgf2)3 / Air در مقایسه با تک لایه ای از مس با ضخامتی معادل با مجموع لایه های مس در سازه بلورهای فوتونیکی، بیش از 50% افزایش پیدا می کند که تطابق خوبی با نتایج حاصل از محاسبات تئوری بر اساس روش ماتریس انتقال دارد.

در این تحقیق فیلم های نازک آهن پایه باترکیب Fe78Si9B13 به کمک روش لایه نشانی لیزری رشد داده شدند هدف تحت خلا پایین در معرض باریکه لیزر Nd:YAG قرار گرفته است. با استفاده از آنالیز پرتو ایکس از آمورف بودن فیلم اطمینان حاصل کرده ایم و آنالیز پس پراکندگی رادرفورد نیز به منظور اطلاع از ترکیب نمونه ها به کار رفته است. نتایج نشان داده است که ترکیب شیمیایی هدف عینا به زیرلایه منتقل شده است. خواص مغناطیسی آن مانند چرخش کر مورد تحقیق قرار گرفته و همچنین وجود قطرک ها روی سطح فیلم بررسی شده و چگونگی تغییر آن با اعمال جریان و اندازه گیری ولتاژ هال مورد بررسی قرار گرفته است.

دراین تحقیق کامپوزیت زمینه آلومینیوم تقویت شده با نانولوله های کربنی به روش پرس کاری و تفت جوشی در محیط خلا ساخته شد. در ابتدا اثر زمان و دمای تفت جوشی در محیط خلا بر روی چگالی، درصد تخلخل و سختی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت و سپس تغییرات خو اص فیزیکی کامپوزیت مانند چگالی و سختی نمونه ها با تغییر درصد وزنی نانولوله ها مورد آزمایش واقع شد. نتایج نشان داد چگالی و سختی کامپوزیت با افزایش دما و زمان تفت جوشی در خلا و همچنین با افزایش درصد وزنی نانولوله ها، افزایش و درصد تخلخل کامپوزیت، کاهش می یابد.

لایه های نازک آلیاژهای  80 NixFe100-xو  x=60روی بستر شیشه با ضخامت حدود 100-50 نانومتر به روش تبخیر حرارتی در خلا تهیه گردید. لایه ها توسط آزمایشهای SEM،XRD  و EDAX مورد مطالعه قرار گرفتند با استفاده از اندازه گیری الکتریکی، مقادیر مربوط به مقاومت ویژه و TCR نمونه ها محاسبه و مقادیر مربوطه با نمونه های دیگر ساخته شده از روشهای دیگر مقایسه شد.

اندازه گیری مقاومت ویژه ویفرهای سیلیکان (111) نوع p،n  به روش ون در پاو انجام شد. سپس به وسیله تبخیر اشعه الکترونی، یک لایه نازک از سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان نشاندیم. با مقایسه نمودار ویفر سیلیکان با حالت لایه نشانی شده سیلیکان، مشاهده شد برای جریان های کمتر از 2mA تفاوت آشکاری میان دو حالت وجود دارد که ناشی از لایه نازک سیلیکان می باشد.

در این مقاله ابتدا نحوه ساخت لایه نازک AZO به روش تبخیر حرارتی تشریح می شود. سپس مشخصات نوری مانند میزان عبور و گاف نوری آن مورد بررسی قرار گرفت. ضخامت لایه ها 100 نانومتر بود، در کار حاضر زیرلایه از جنس شیشه و دمای زیر لایه در حین لایه نشانی 150 درجه سانتی گراد انتخاب شد. پس از لایه نشانی، عملیات حرارتی به مدت یک ساعت در دو دمای 450 و 550 درجه سانتی گراد انجام شد. مشخصه نگاری نوری نمونه ها توسط طیف سنج نوری فرابنفش- مرئی انجام شد.

در این مقاله اثر اعمال پلاسما بر میزان نفوذ پذیری پلی اتیلن ترفتالیت که یک پلیمر انعطاف پذیر با کاربرد فراوان در صنعت می باشد، بررسی شده است. تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی از سطح مقطع PET برای مشاهده اثر ظاهری اعمال پلاسما انجام شده است. آنالیز FTIR از نمونه ها قبل و بعد از اعمال پلاسما به عمل آمده و نتایج حاصله با یکدیگر مقایسه شده اند. در نهایت با استفاده از سیستمی که برای بررسی میزان نفوذپذیری PET طراحی شده، تاثیر پلاسمای اعمال شده بر بهبود نفوذپذیری نشان داده شده است. اجرای آزمون خلا بروی نمونه ها بهبود نفوذپذیری در این نمونه ها را تایید می نماید.

در این تحقیق انواع مواد زیرلایه اپتیکی و پوشش ها که اصولا در لیزرهای اگزایمر و فرابنفش استفاده می شوند مورد پژوهش قرار گرفتند. سه نمونه با مواد الف) MgF2 روی زیر لایه BK7 ب) MgF2+LiF3 روی زیر لایه فیوز سیلیکا ج) Al روی زیر لایه BK7، ساخته شد.از مقایسه طیف عبور و انعکاس نمونه های ساخته شده ملاحظه می گردد که در بازه طول موج 248-400 نانومتر (ناحیه فرابنفش) آینه Al دارای بیشترین انعکاس است و در صورتیکه لایه محافظMgF2  روی آن انباشت گردد، می توان از آن در ساخت رزوناتورهای اکسترنال لیزرهای فرابنفش استفاده نمود.

با توجه به اهمیت آنالیز ایزوتوپی در علوم و تحقیقات هسته ای و نقش طیف سنج جرمی به عنوان یک دستگاه حساس و دقیق برای انجام این آنالیز، با اندازه گیری نسبت ایزوتوپی بور به شرح چگونگی کاربرد خلا در مراحل مختلف آزمایش پرداخته شد. پارامترهای موثر در اندازه گیریها نظیر مقدار نمونه، دمای فیلامانهای تبخیر و یونش و آهنگ افزایش دما مورد بررسی قرار گرفت و مقدار بهینه هر کدام تعیین گردید.اندازه گیریهای انجام شده نشان داد که با انتخاب مناسب این پارامترها می توان نسبت ایزوتوپی بور را با دقتی برابر 0.2 درصد و با قدرت تفکیکی حدود 400 با این طیف سنج اندازه گیری کرد.

در دهه های اخیر تلاش فراوانی به منظور ساخت نیمرساناهای با گاف نواری پهن به خاطر کاربردهای زیاد آنها در ادوات اپتوالکتریکی صورت گرفته است .ZnO نیمرسانایی با گاف انرژی پهن و مستقیم حدود3.37vev  در دمای اتاق است و که کاربردهای فراوانی در نانوالکترونیک و نانوفتونیک دارد. در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های ZnO به روش اکسیداسیون مستقیم بر روی بستری از شیشه در دمای 400 درجه در هوا و یا فلویی از اکسیژن رشد داده شدند.نانو سیم های تولید شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و آنالیز EDX بررسی شدند. قطر نانوسیم ها حدودmn  15-30 و طول آنها به چندین میکرون می رسید.به منظور بررسی اثر میدان الکتریکی بر جهت مندی آنها میدان های الکتریکی 2000-10000V/m به نمونه ها حین رشد اعمال گردید. نوعی جهت مندی برای میدان های الکتریکی5000V/m  برای رشد داده شده بر روی زیر لایه Zn مشاهده گردید.

ساخت عناصر اپتیکی که عاری از خطا های رنگی و هندسی باشند اگر چه هنوز هم به طریقه محاسبات طولانی و پیچیده ترکیبات اپتیکی انجام می گیرد ولی بعد از ورود فعال تمام نگاری به صحنه اپتیک، ساخت این عناصر به روش فوق کم کم جای خود را به ساخت عناصر اپتیکی به روش تمام نگاری (HOE) می سپارد. در این کار از ژلاتین حساس شده با هالید نقره (SHSG) برای ساخت توری عبوری فازی استفاده شده است. اصطلاح (SHSG) دلالت دارد بر مواد تماما زلاتینی که اطلاعات تصویری اولیه را از طریق جذب فوتون توسط ژلاتین در حوالی تصویر ظاهر شده بهم پیوند می دهد . تصویر ذخیره شده در این روش بصورت تغییرات ضریب شکست در داخل ژلاتین است. قرار دادن نمونه به مدت 1 الی 2 ساعت در داخل خلا در انتهای مرحله پردازش به منظور آبزدایی ژلاتین باعث افزایش کیفیت و پایداری آن تا دمای 110oC می گردد. این روش یکی از نوید بخش ترین روشها برای ساخت عناصر اپتیکی تمام نگاشتی (HOE) عبوری است، در این روش حداکثر بازدهی پراش به دست آمده 70% می باشد که با رکوردهای موجود جهانی برابری می کند.

در این مقاله پس از معرفی کاربردهای فناوری خلا بالا در زمینه های مختلف علوم و صنایع و تاکید بر ضرورت برنامه ریزی برای بومی سازی این فناوری به ارایه اولویتهای تحقیق و توسعه در زمینه طراحی و ساخت سیستمها و تجهیزات خلا پرداخته شده است. از آنجاییکه تحقیق و توسعه راهبردی اساسی برای بومی سازی فناوری های پیشرفته است، در این مقاله نتایج تحقیقات میدانی صورت گرفته برای تعیین اولویتهای تحقیق و توسعه در رابطه با سیستمها و تجهیزات مهم خلا ارایه میشود. بر این اساس، با استفاده از الگوریتمهای تصمیم گیری علمی، اولویتهای تحقیق و توسعه بر روی سیستمهای خلا تعیین و نتایج ارایه شده است.

در این مقاله گزارش مراحل طراحی و ساخت یک دستگاه تولید نانو ذرات به روش چگالش شیمیایی گاز (CVC) در خلا ارایه می گردد. معرفی مشخصات کلی تجهیزات طراحی و ساخته شده مانند، محفظه خلا، تانک نیتروژن چرخان، واحد تولید بخار های شیمیایی، فیدتروهای مکانیکی، لوله کوارتز متصل به محفظه خلا و مشخصات بعضی از نانو ذرات تولید شده توسط دستگاه ارایه می گردد. توسط این دستگاه ذرات TiO2 با اندازه متوسط75mm  تولید و مشخصه یابی گردید.

در این تحقیق پوشش های کاربید تنگستن -نیکل با استفاده از روش اسپری حرارتی سرعت بالا (HVOF) تهیه و برای شناسایی تاثیر دما و زمان عملیات حرارتی تحت خلا با برنامه های از پیش تعیین شده مختلف آزمایش شدند. مطالعات شناسایی فازها و استحاله های فازی در دماها و زمانهای مختلف توسط دستگاه پراش پرتو ایکس (XRD) مجهز به محفظه خلا دارای گونیومتر دمای بالا (HTK) انجام شد. آنالیز های انجام شده از پوشش ها نشان داد که طی فرایند اسپری حرارتی فازهای آمورفی به دلیل سرعت بالای سرد شدن و فاز کمپلکس Ni2W4C شکل می گیرند که در پودرهای اولیه وجود نداشتند. لیکن با عملیات حرارتی می توان این فازهای آمورف را پایدار و کریستالی نمود. سینتیک این کریستالیزه شدن هم مانند تمام فرایند های نفوذی وابسته به دما و زمان است و البته در این آزمایشها نیز ثابت شد که تاثیر دما شدید تر از زمان است، طوری که تا 950 درجه سانتیگراد تحول جدی مشاهده نمی شود در حالی که در عملیات حرارتی در دمای 1100 درجه سانتیگراد بالا فاصله پس از رسیدن به این دما استحاله نسبتا کاملی رخ داده است و فاز بین فلزی NiW ایجاد می شود.

در این پژوهش اثر میزان تخلخل برخواص فتودیودی نمونه های چندلایه ای CdO/PSi/Si روش طیف سنجی تونلی روبشی (SpectroscopyScanning Tunneling) مطالعه شد. لایه سیلیکن متخلخل (PSi) کمک آندایزالکتروشیمیایی سیلیکین نوع p+ ولایه اکسید کادمیم (CdO) به روش لایه نشانی لیزر پالسی و در فشار 10-5 torr ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت 10 دقیقه در دمای 500oC پخت کردیم تا کمبود اکسیژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لایه متخلخل، و مورفولوژی لایه اکسید کادمیم به روشهای AFM و SEM بررسی شدند. طیف XRD و طیف عبور اپتیکی به منظور بررسی خواص کریستالی و تعیین شکاف انرژی اکسید کادمیم استفاده شدند. با تغییر پارامترهای موثر در آندایز الکتروشیمیایی سیلیکن، نمونه های CdO/PSi/Si با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. بررسی منحنی جریان - ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاریکی به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) وجود یک درصد تخلخل بهینه را به منظور بهبود خواص فتودیودی نمونه ها نشان داد.

در این مقاله آسیب بلوری ایجاد شده بر اثر کاشت ناخالصی ژرمانیوم با دو دوز و انرژی متفاوت در تک بلور سیلیسیم بررسی شده است. دز و انرژی ناخالصی های ژرمانیوم کشت شده در سیلیسیم عبارت است از: 1×1016atom/cm2  با انرژی3keV  و 5×1016atoms/cm2 با انرژی 100keV. آسیب بلوری ایجاد شده، با استفاده از تکنیک RBS-Channeling بررسی و پروفایل اتم های سیلیسیم جابجا شده از مکان شبکه ای خود بر حسب عمق، بعد از کاشت یونی به دست آمده است. همچنین اثر بازپخت حرارتی بر ترمیم شبکه بلوری سیلیسیم نیز مطالعه و بررسی شده است. علاوه بر این مورفولورژی سطح بلور سیلیسیم در جهت (100) که با یون های زرمانیوم کاشت شده است. با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) قبل از بازپخت حرارتی مورد بررسی قرار گرفته است.

هدف از این پژوهش، بررسی خواص فیزیکی لایه های ITO بر روی دو نوع مختلف زیر لایه، بر حسب تغییر توان کندوپاش و در نهایت بدست آوردن لایه ای بهینه با مقاومت ویژه حداقل و شفافیت مناسب در محدوده مرئی می باشد. در ابتدا لایه های نازک رسانا و شفاف اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) با استفاده از هدف سرامیکی ، (In2O3-SnO2, 90-10wt%) ITO)  بر روی زیرلایه های شیشه و بستر انعطاف پذیر PET به شیوه کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. پس از انجام لایه نشانی، خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختار کریستالی و ساختار سطحی نمونه ها با کمک آنالیزهای اندازه گیری مقاومت چهار پروبی، طیف سنجی UV/VIS/IR،  XRDو AFM مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که لایه های نازک ITO که بر روی بستر انعطاف پذیر PET لایه نشانی شده اند، دارای 77% میانگین درصد عبور نوری و مقاومت ویژه 9.4×10-3 Wcm هستند در حالیکه بر روی زیر لایه شیشه میانگین درصد عبور نوری 83% و مقاومت ویژه 9.4×10-3 Wcm است. بررسی های انجام شده نشان می دهند که با توجه به مقادیر بدست آمده، این لایه برای ساخت سلول های خورشیدی مناسب است.

جریان پالسی DC به مخلوطی از گازهای آرگون و متان در محفظه پلاسما اعمال می شود. نانوذرات گرافیتی روی دیواره استوانه ای محفظه واکنش می نشینند. دیواره تقریبا در فاصله 1cm از محل پلاسما قرار گرفته است و دمایی در حدود 100 درجه دارد. نانوذرات گرافیت به کمک آنالیز XRD، FTIR، Raman، TEM و میکروسکوپ نوری شناسایی می شوند. ساختار کریستالی نانوذرات بدست آمده کاملا با گرافیت معمولی که از تجزیه گرمایی متان بدست می آید، متفاوت است.

در این مقاله پس از تبیین اهمیت فناوری خلا به معرفی کاربردهای فناوری خلا در زمینه تحقیقات غذایی پرداخته می شود و برخی از محورهای تحقیقاتی مطرح در این زمینه بررسی می گردد. امروزه فرایندهای بسیاری در شرایط خلا انجام می شوند که امکان تولید محصولاتی جدید با فناوری بالا را فراهم ساخته است. به عنوان مثال فرایندهای خشک کردن، اشباع، تبرید و انجماد، تقطیر و کاهش بار میکروبی از جمله فناوری های جدیدی هستند که در سال های اخیر تحقیقات گسترده ای در مورد آنها انجام شده است.

این مقاله تحقیقی تجربی پیرامون چگونگی لایه نشانی فلزات طلا و مس در انباشت لایه نازک می باشد. در نمونه های لایه نشانی شده با تغییر مقدار و چگالی مواد طلا و مس تعداد و نوع لایه ها تغییر نمود. نمونه های فوق الذکر توسط دستگاه لایه نشانی بالزر 510 روی شیشه به روش PVD (انباشت فیزیکی بخار) ساخته شد. روش تبخیر مواد «تبخیر حرارتی» و فشار لایه نشانی 4×10-6 تور بود. وقتی در فرایند لایه نشانی از 2،5 گرم طلا و 0.5 گرم مس، با دانسیته 19.3g/cm3 استفاده نمودیم، با آزمایش RBS معلوم شد که نمونه ساخته شده 6 لایه دارد و اولین لایه بعد از شیشه دارای 10% طلا و 90% مس است.بنابراین می توان از این آینه به عنوان آینه داخلی استفاده نمود.

در این مقاله گزارش طراحی و ساخت یک محفظه شیشه ای که برای سیستم تبخیر حرارتی تحت خلا در محدوده 7-10 میلیبار مورد استفاده قرار گرفته است، ارایه می گردد. بعد از بررسی مواد اولیه مناسب برای ساخت محفظه، فلانج بالایی و درزبندهای آن، به تبیین معیارهای طراحی محفظه پرداخته و مراحل روش آن ارایه شده است. طراحی ابعاد محفظه و فلانج بالایی به روش نرم افزاری مدل سازی شده و با روش تحلیلی نیز کنترل شده است در پایان نتایج عملی آزمایش یک نمونه ساخته شده ارایه شده است.

در این مقاله روشی جهت اندازه گیری تابع دی الکتریک مختلط و ضخامت فیلم های خیلی نازک به صورت همزمان، در طول پروسه لایه نشانی ارایه می شود. برای این منظور دستگاه معادلات شدت نور بازتابیده و عبوری تحلیل گردیده و اجزاء حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و همچنین ضخامت فیلم در حال لایه نشانی بدست می آیند. نتایج عملی توسط یک سیستم طراحی شده برای دریافت بلادرنگ داده های شدت نور، برای لایه نشانی فلز آلومینیوم در دو طول موج لیزر برابر 650 نانومتر (نور قرمز روشن) و 780 نانومتر (نور مادون قرمز نزدیک) روی بستر شیشه ارایه شده اند.

لایه های اکسید قلع و اکسید روی به روش تبخیر با باریکه الکترونی در خلا، بر روی زیرپایه های سیلیکا نشانده شدند. فشار محفظه~10-5 Torr  بود و زیرپایه ها در دمای اتاق قرار داشتند. لایه های اکسید قلع حاصل شفاف و زرد رنگ بوده چسبندگی خوبی به زیرپایه داشتند. مطالعات بعدی نشان داد که این لایه ها ساختاری آمورف دارند. تبلور لایه های اکسید قلع در دو محیط اکسیژن و ازت در دماهای متفاوت صورت گرفت. در همه موارد فرآیند تبلور در محیط حاوی اکسیژن بیشتر، سریعتر بود. این مورد بر اساس کمبود اکسیژن از مقدار استوکیومتریک آن در ترکیب لایه توضیح داده شد. تبخیر اکسید روی به روش مشابه، لایه های سیاه رنگی متشکل از ذرات روی را نتیجه داد که نتیجه ضعیفی با زیرپایه داشتند. از این رو کنترل فشار اکسیژن در محفظه خلا طی لایه نشانی ضروری بود. سعی و خطا در این خصوص به علت عدم کنترل دقیق فشار اکسیژن نتیجه مثبتی نداشت.

در این مقاله با پاشش پلاسمایی Ti بر روی سطح تمیز Si ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز - نیمه رسانای Ti/Si به عنوان دریچه ایجاد گردید. در لایه آلیاژی این ساختار یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) با چگالی سطحی ns وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دریچه Vg میتوان چگالی آن را تغییر داد. با برازش نظری نتایج تجربی ns-Vg به محاسبه چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si پرداختیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه Si پوششی از 180 به 480 نانومتر چگالی سطحی بارهای میانگاه  Ti/Siبه ترتیب از 4.6×1015cm-2 به 1.95×1015cm-2 کاهش می یابد.

هدف از این مقاله، ارایه یک روش فیزیکی برای ساخت نانوذرات تیتانیوم بر روی یک زیر لایه شیشه ای می باشد. روش فیزیکی مورد استفاده روش Glancing Angle Deposition "GLAD" نامیده می شود که برای اولین بار در سال 1998 توسط یک گروه تحقیقاتی کانادایی ارایه گردید. برای اینکه لایه نشانی دقیق و قابل کنترل باشد از روش گرما دهی پرتو الکترونی (Electron beam heating) استفاده گردید. عکسهای SEM از مقطع بالا و مقطع عرضی نمونه های ساخته شده، تایید کننده ساخت نانوذرات تیتانیوم می باشد.

در این مطالعه عایق حرارتی خلا جدید ثبت شده توسط مولف، معرفی گردیده و خصوصیات سازه ای و انتقال حرارتی آن مورد مطالعه قرار می گیرد. در عایق مذکور، وظیفه غلبه بر نیروی ناشی از فشار هوای محیط و ایجاد فاصله بین دو جداره عایق به منظور ایجاد خلا به عهده سازه ای انعطاف پذیر و جمع شونده می باشد. با اعمال فشار هوا به داخل این سازه و تغییرشکل آن، دوجداره عایق از یکدیگر دور می شوند و به این ترتیب در مناطقی از عایق که سازه نگه دارنده وجود ندارد خلا به وجود می آید. عایق پیشنهاد شده توسط نرم افزار اجزا محدود Ansys مدلسازی شده و مورد تحلیل قرار گرفته است. تحلیلهای تنشی و انتقال حرارتی قابلیت بالقوه طرح پیشنهاد شده را به عنوان یک عایق مطلوب نشان می دهند.

لایه های نانو کامپوزیت مس-کربن به روش همزمان RF-PECVD، RF-Sputtering از گاز استیلن و هدف مس رشد داده ایم. فرایند رشد در ناحیه ای که با تغییر فشار محفظه فرایند به کندوپاش فیزیکی در توان ثابت و فشار بحرانی 1.5 تا 3 پاسکال تبدیل می شود، بررسی می شود. مقدار تخمینی انرژی متوسط یونها در این فشار بحرانی نزدیک به آستانه انرژی اسپاترینگ فیزیکی مس با یونهای استیلن است. با استفاده از این خاصیت و با تنظیم فشار اولیه از 1.3 تا 6.6 پاسکال لایه های نازک مس-کربن با محتویات مس متفاوت رشد داده ایم. محتویات مس این لایه ها با استفاده از پراکندگی راترفورد (RBS) واسپکتروسکپی امواج ایکس (XPS) تعیین شد. تصاویرمیکرسکوپ نیروی اتمی (AFM) و پراش امواج ایکس (XRD) بر تشکیل نانو ذرات مس دلالت دارند.

در این پژوهش لایه های اکسیدی دی اکسی دسیلیسیم (SiO2) سپس نیترید سیلیسیم (Si3N4) با ضخامت مناسب، بر روی پولک ایندیم آنتیموناید (InSb) به روش PECVD، نشانده شده است. مقدار ضخامت اکسید یکی از عواملی است که می تواند در نشت سطحی جریان در آشکارساز تابش مادون قرمز در ساختار MIS نقش مهمی داشته باشد. کلیه مراحل لایه نشانی، ضرورت غیرفعال سازی سطح نیمه هادی، کیفیت لایه نهشته شده، و تشخیص نوع زیرلایه به کمک منحنی C-V در این مقاله مورد بررسی قرار می گیرد.

لایه های اکسید تنگستن به روش لایه نشانی لیزر پالسی در محیط اکسیژن و همچنین در خلا ساخته شدند. با استفاده از XPS معلوم شد. نمونه اول حالت W+6 و با نسبت O/w=3 و دمی حالت های به صورت W+4>W+5>W+6<W0 و با نسبت O/w=1 دارند. ما از مقاومت سنجی در خلا برای مشاهده پدیده واجذب اکسیژن در حین لایه نشانی استفاد کردیه ایم. داده برداری سریع از مقاومت در حین لایه نشانی افت و خیزهایی را آشکار کرد که با استفاده از نتایج آنالیز سطحی آنها را به واجذب اکسیژن از سطح نسبت داده ایم. در نهایت اثر بر هم کنش لیزر با تارگت هم بررسی شد.

در این مقاله پس از معرفی کاربردهای فناوری خلا در زمینه های مختلف علوم و صنایع و نقش کلیدی آنها در دستیابی به توسعه علمی و صنعتی، به تبیین ضرورت تدوین برنامه راهبردی برای توسعه این فناوری در سطح ملی پرداخته شده است. بر این اساس، در قالب یک طرح تحقیقاتی، نظرات خبرگان و کارشناسان از طریق پرسشنامه های نظرسنجی در چند مرحله جمع آوری و در یک فرایند علمی تحلیل گردید. نتایج حاصل ضمن تاکید بر ضرورت تدوین برنامه راهبردی، ملاحظات اساسی توسعه فناوری خلا را نیز مشخص نمود. بر این اساس، پیش نویس برنامه راهبردی توسعه فناوری خلا نیز تهیه و ارایه شد.

در این نوشتار نتایج شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف به روش PECVD ارایه شده است و تاثیر فشار محفظه بر روی خواص لایه نشانده شده مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور ارزیابی کیفیت و یکنواختی لایه نشانده شده دو معیار کیفی تعریف شده است. همچنین نرخ لایه نشانی سیلیکن آمورف در فشارهای کمتر از یک تور (شرایط متداول لایه نشانی) بر حسب موقعیت مکانی بر روی بستر و الکترود توان نشان داده شده است.

نانو ذرات آلیاژی طلا- نقره با غلظت های مختلف طلا در بستر SiO2 به روش اسپاترینگ واکنشی مغناطیسی همزمان در حضور فرکانس رادیویی (FR) سنتز شدند. سپس لایه های نازک SiO2 حاوی نانوذزات طلا-نقره تحت عملیات حرارتی در دماهای مختلف قرار گرفتند. بر اساس تحلیل نتایج طیف سنجی UV-Visible با افزایش دمای پخت تا 800oC تنها یک قله جذب پلاسمونی در طول موج450nm  مشاهده می شود که مابین دو قله جذب نانوذرات طلا و نقره خلص قرار دارد. با افزایش غلظت طلا این قله به سمت پیک پلاسمونی نانوذرات طلا خالص جابجا می شود. طیف XPS نمونه ها نیز حاکی از افزایش غلظت سطحی نانو ذرات Au-Ag با ازدیاد دما است، همچنین در دماهای بالاتر طلا و نقره در حالت فلزی در سطح لایه رشد می نماید و در حالت آلیاژی تمایل به از دست دادن الکترون و ترکیب شدن دارند. بر طبق تحلیل تصاویر AFM، افزایش دما باعث افزایش غلظت سطحی ذرات و کاهش اندازه آن ها بر روی سطح می شود، به طوری که در دمای 800oC اندازه متوسط دانه ها در حدود20nm  تعیین شد.

پلیمریزاسیون پلاسمایی یک روش مفید برای نشاندن پلیمر بر روی سطوح ذرات و مواد است که خصوصیات آن به طور قابل توجهی متفاوت با ویژگیهای ترکیبی پلیمرهای خطی یا ازتباط عرضی است. از بخار متیل متاکریلات / گاز آرگون در فشار پایین و توسط پلاسمای مایکروویو (MW) غیر تعادلی برای نشاندن یک لایه فیلم پلیمری بر روی سطوح خارجی ذرات سیلیکا استفاده شده است. در این آزمایش یک طراحی ویژه برای ساختن راکتور به کار گرفتیم. علاوه بر این، ورود مونورها به طور موفقیت آمیزی توسط انتقال ماده مونومر به درون محفظه توسط عبور جریان گاز از درون ظرف حاوی مونور انجام شد فیلم پلیمری پلاسمایی توسط طیف سنج تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) شناسایی گردید.

در این تحقیق تاثیر دمای اکسیژن دهی بعدی، بر روی خواص سطحی فولادAISI 5115  نیتروژن - کربن دهی شده مورد مطالعه قرار گرفته است. به این منظور فولاد مذکور پس از عملیات حرارتی اولیه کوئنچ و تمپر، در دمای 550oC و در فشار 3 تور، به مدت 5 ساعت و در مخلوط گازی حاوی%80N2 + 13%H2 + 7%CO2  تحت عملیات نیتروژن - کربن دهی پالس پلاسمایی قرار گرفت . بلافاصله پس از عملیات نیتروژن - کربن دهی عملیات اکسیژن دهی در دماهای 500oC، 450oC، 400oC به مدت یک ساعت، در مخلوط گازی حاوی75%O2 + 25%H2  انجام شد. خواص لایه های سطحی توسط میکروسکپ الکترونی و پراش سنجی پرتو ایکس مطالعه شد. نتایج مطالعه فازهای تشکیل شده در لایه اکسیدی نشان می دهد که با کاهش دمای اکسیژن دهی بعدی پایداری فاز Fe3O4 نسبت به فاز  Fe3O4در لایه اکسیدی افزایش می یابد. نتایج آزمایش پلاریزاسیون نشان داد که مقاومت به خوردگی بر اثر نیتروژن کربن دهی در مقایسه با نمونه خام، و در اثر اکسیژن دهی بعدی در مقایسه با نمونه نیتروژن کربن دهی شده افزایش می یابد.

لایه های نازک ITO بر روی زیرلایه های شیشه ای در دمای 200oC با کمک روش تبخیر در خلا با استفاده از باریکه الکترونی، لایه نشانی شده است. نمونه های لایه نشانی شده، در محیط اتمسفر و محیط خلا، در دماهای مختلف تحت بازپخت قرار گرفته اند. مقاومت الکتریکی نمونه پس از لایه نشانی 1.84×10-1Wcm اندازه گیری شد و پس از بازپخت در اتمسفر و خلا (به ترتیب) 500oC و 400oC درجه، به مقدار 1.35*10-4Wcm کاهش یافت. عبور نوری نمونه 78.66% بدست آمد. با استفاده از نتایج XRD، ثابت شبکه10.08 Ao  محاسبه شد. باند ممنوعه نوری لایه های نازک ITO، 4.27 بدست آمد. برای بررسی اندازه گیری خواص لایه های نازک ITO از سیستم چهارترمینالی، طیف سنج UV/VIS/IR، XRD و AFM استفاده شده است.

در این مقاله مشخصه یابی الکتریکی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si که با سیستم رونشانی پرتو ملکولی (MBE) رشد یافته می پردازیم. پس از رشد ساختار، ولتاژ عرضی هال در گستره دمایی 60 تا 300 کلوین اندازه گیری شده و متعاقبا وابستگی دمایی ضریب هال به دست آمده است. با برازش نظری تغییرات دانسیته سطحی حفره ها نسبت به دما، چگالی و انرژی یونش ناخالصی، فاکتور هال و ضریب بالا کشیدگی تراز فرمی محاسبه شده است.

در این مقاله به کمک شبیه سازی دینامیک مولکولی MD شاخصه های برخورد یک نانو خوشه نیکل با اندازه ها و انرژی های مختلف که در روش لایه نشانی باریکه نانو خوشه های یونیده ICBD استفاده می شود، مورد بررسی قرار گرفت. انرژی خوشه ها 1-20eV/atom تعداد اتمهای خوشه ها، 14، 47، 18، 55، 87 و 177 انتخاب شدند. در این تحقیق وابستگی سایز خوشه به حداکثر دمای زیر لایه در لحظه برخورد نانو خوشه به سطح و زمان رسیدن به دما مورد بررسی قرار گرفت . همچنین وابستگی سایز و انرژی خوشه ها به تعداد اتمهای جابجا شده در زیر لایه، اتمهای پراکنش شده و اتمهای نفوذ یافته در زیرلایه بررسی شد. هر یک از این پارامترها نقش کلیدی در نوع لایه بوجود آمده دارند.