مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

725
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

625
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی و نوری نانو ساختار شبه گرافن ژرمانیم دی سولفید (2GeS) به روش نظریه ی تابعی چگالی

صفحات

 صفحه شروع 39 | صفحه پایان 45

چکیده

 در این مقاله با استفاده از روش نظریه ی تابعی چگالی و بسته نرم افزار (کد) محاسباتی وین2کِی, نانو ساختار دو بعدی جدید ژرمانیم دی سولفید (GeS2) پیش یابی شده است. با محاسبه ی انرژی همدوسی و پاشندگی فونونی با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو, پایداری ترمودینامیکی و دینامیکی نانوساختار 2GeS تأیید شد. نتیجه های روش شبیه سازی نشان داد که تک لایه ی ژرمانیم دی سولفید یک نیم رسانا با گاف انرژی غیر مستقیم حدود 0. 9 eV است که با اعمال کشش و کرنش دو بعدی, قابل تنظیم است. محاسبه های نوری نشان داد که تک لایه-ی پیشنهادی در ناحیه ی دیدگانی در برابر تابش فرودی, جذب و بازتاب کمی دارد در صورتی که ماده ی پیش گفته ی (GeS2) در ناحیه ی فرا بنفش, نه تنها جاذب خوبی است بلکه بازتابش نسبتاً بالایی نیز دارد. نتیجه های این پژوهش نشان داد که نانو ساختار ژرمانیم دی سولفید می-تواند در ساخت ابزارهای نوری و به طور خاص در ساخت حفاظ نور فرابنفش مورد استفاده قرار گیرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    فرهنگ متین، لاله، ناصری، مصیب، و حسن بوذری، حسین. (1398). پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی و نوری نانو ساختار شبه گرافن ژرمانیم دی سولفید (2GeS) به روش نظریه ی تابعی چگالی. مجله علوم و فنون هسته ای، 40(89 (پیاپی 3) )، 39-45. SID. https://sid.ir/paper/97776/fa

    Vancouver: کپی

    فرهنگ متین لاله، ناصری مصیب، حسن بوذری حسین. پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی و نوری نانو ساختار شبه گرافن ژرمانیم دی سولفید (2GeS) به روش نظریه ی تابعی چگالی. مجله علوم و فنون هسته ای[Internet]. 1398؛40(89 (پیاپی 3) ):39-45. Available from: https://sid.ir/paper/97776/fa

    IEEE: کپی

    لاله فرهنگ متین، مصیب ناصری، و حسین حسن بوذری، “پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی و نوری نانو ساختار شبه گرافن ژرمانیم دی سولفید (2GeS) به روش نظریه ی تابعی چگالی،” مجله علوم و فنون هسته ای، vol. 40، no. 89 (پیاپی 3) ، pp. 39–45، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/97776/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button