در این مقاله، مغناطومقاومت (MR) و مغناطو مقاومت ناهمسانگرد(AMR) لایه­ های نازک La_0.4 Pr_0.3 Ca_0.3 MnO_3 (LPCMO) مورد بررسی قرار گرفته است. لایه­های نازک LPCMO با استفاده از روش لیزر تپی (PLD) بر روی زیرلایه­های و لایه نشانی شده­اند. با ضخامت سنجی لایه­های نازک به روش بازتاب سنجی پرتو ایکس ( XRR) ضخامت لایه­ها حدود 90 نانومتر براورد شد. نمونۀ LPCMO بر روی زیرلایۀ LAO به علت تنش تراکمی زیاد دمای گذار عایق- فلز پایین تری نسبت به نمونۀ لایه نشانی شده بر روی MGO دارد. همچنین مقدار MR در لایه­های LPCMO/LAO و LPCMO/MGO به ترتیب 57 و 98 درصد به دست آمد. مقدار AMR بیشینه، در لایۀ LPCMO/MGO (80 درصد) نسبت به نمونۀ LPCMO/LAO (32 درصد) افزایش قابل ملاحظه ای دارد که به لحاظ پتانسیل کاربردی اهمیت زیادی دارد.

در تحقیق حاضر با اعمال هم زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره ای در ساختار گرافین نمی شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه قابل کنترل و تنظیم است. همچنین نشان داده شده است که مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به شدت به پارامترهای کشش اعمالی به گرافین، سد مغناطیسی، پیکربندی بردار مغناطش نواحی فرومغناطیس و گاف جرمی زیر لایه وابسته است به گونه-ای که با انتخاب مقادیر مناسبی برای پارامترهای مذکور، مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به 100% می رسد. به طور مشخص برای دره K با تغییر پیکربندی از موازی به پادموازی با اعمال مقادیر مذکور، نمودار رسانش پادموازی سریع تر نسبت به نمودار رسانش موازی به صفر می رسد. در این شرایط پیوندگاه فقط برای پیکربندی رسانش موازی از خود عبور نشان می دهد که این امر منجر به بیشینه شدن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه می شود. تنظیم پذیر بودن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه نشان دهنده ی کاربرد آن در وسایل اسپین-الکترونیکی بر پایه ی گرافین است.

در این پژوهش چندلایه ای های Ni-Cu/Cu از الکترولیت تک حمام سولفات/سولفامیت با استفاده از روش الکتروانباشت از دو محلول خالص بدون Co و ناخالص با 2/0 درصد Co در مد گالوانواستات-پتانسیواستات در پتانسیل انباشت بهینه شده Cu تهیه شد. اندازه گیری های مغناطو مقاومت در دمای اتاق برای چندلایه ای های Ni-Cu/Cu به عنوان تابعی از ضخامت لایه غیرمغناطیس Cu برای هر دو الکترولیت خالص و ناخالص انجام شد. منحنی های مغناطو مقاومت حاکی از مغناطو مقاومت ناهمسانگرد برای چندلایه ای ها در الکترولیت خالص و مغناطو مقاومت بزرگ برای چندلایه ای ها در الکترولیت ناخالص بود، طوری که بیشینه ی مقدار مغناطو مقاومت برای چندلایه ای Ni-Cu/Cu با ضخامت nm2/4/nm3 به دست آمد. بررسی ساختاری چندلایه ای ها توسط الگوی پراش اشعه ی ایکس انجام شد. الگوی پراش اشعه ی ایکس حضور قله های ماهواره ای که دلالت بر وجود ساختار ابرشبکه ای بود را تأیید کرد. ضخامت اسمی چندلایه ای ها nominalΛ با ضخامت حاصل از الگوی پراش اشعه ایکس XRDΛ مقایسه شد که همخوانی قابل توجهی داشت. مورفولوژی نمونه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی انجام شد که دلالت بر یکنواختی انباشت در حین فرایند لایه نشانی داشت. در نهایت مغناطش نمونه ها نیز با استفاده از مغناطوسنج نمونه مرتعش بررسی شد. نتایج نشان داد با کاهش ضخامت لایه ی غیرمغناطیس Cu وادارندگی کاهش و مغناطش اشباع افزایش می یابد.

در این تحقیق نانومنگنایت La0. 7(Sr 1-xBax)0. 3MnO3 به صورت تک فاز و با اندازه بلورکهای بین 18 تا 28 نانومتر به روش سل ژل ساخته شده است. خواص ساختاری نمونه ها با اندازه گیری طیف پراش پرتو ایکس همراه با تحلیل ریتولد آنها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شده است. خواص مغناطیسی با اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی بر حسب دما و خواص الکتریکی با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی بر حسب دما و در حضور میدانهای مغناطیسی تاkOe 20 بررسی شده است. نتایج به دست آمده از پذیرفتاری مغناطیسی نشان می دهد که دمای کوری نمونه ها بالاتر از دمای اتاق است. اندازه گیری مقاومت الکتریکی نشان می دهد که دمای گذار فاز عایق-فلز در دو ترکیب La0. 7 Sr0. 3 MnO3 و La0. 7 (Sr0. 3 Ba0. 2) MnO3 به دماهای پائین تر از دمای اتاق کاهش یافته است. با اعمال میدان مغناطیسی مقاومت الکتریکی این نمونه ها به شدت کاهش می یابد و در دماهای مختلف، مقدار مغناطومقاومت تقریباً به صورت خطی با افزایش میدان مغناطیسی افزایش می یابد. مقدار مغناطومقاومت در میدان اعمالیkOe 20 در نمونه La0. 7 Sr0. 3 MnO3 در دمای 275 کلوین، % 10 و در دمای 200 کلوین% 14 است. این مقدار برای ترکیب La0. 7 (Sr0. 3 Ba0. 2) MnO3 در دمای 275 کلوین، % 13ودر دمای 100 کلوین % 27 می باشد. مقادیر به دست آمده برای مغناطومقاومت برای کاربرد در سنسورهای مغناطیسی مناسب می باشند. تغییرات دیده شده در خواص الکتریکی نانو منگنایت La0. 7 (Sr1-x Bax) MnO3 بر حسب پراکندگی اسپینی حاملهای بار از مرزدانه ها و تونل زنی وابسته به اسپین آنها در بین دانه ها توصیف شده است.