مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

83
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

23
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

جفت شدگی با فونون در زنجیره های DNA تحت تابش فوتون: رویکردی برای طراحی یک تراشه حسگر زیستی

صفحات

 صفحه شروع 9 | صفحه پایان 16

چکیده

 مقدمه: دانش اسپینترونیک در طول چند دهه گذشته به علت توسعه دستگاه های جدید که می تواند الکترونیک مولکولی را تقویت یا مستقیماً جایگزین کند, توجه دانشمندان بسیاری را به خود جلب کرده است. اسپینترونیک رابطه متقابل بین جریان های اسپینی و خواص مغناطیسی مواد مختلف را مورد مطالعه قرار می دهد. تحقیقات گسترده دانشمندان در طول چند دهه اخیر بر روی مولکول زیستی DNA باعث شده است که این مولکول به عنوان یک نانو ساختار پیچیده با قابلیت انعطاف پذیری بالا در اسپینترونیک, صنعت نانو و پزشکی مورد استفاده بسیاری قرار گیرد. روش بررسی: در این کار, تاثیر فونون های شبکه و فوتون های تابشی روی ترابرد اسپینی زنجیره DNA مورد بررسی قرار می گیرد. هامیلتونی غیربرهمکنشی با استفاده از مدل تنگ بست که اثر اسپین در آن در نظرگرفته شده نوشته می شود و سهم اندرکنش الکترون-فوتون با استفاده از مدل هولشتاین اضافه می شود. همچنین جفت شدگی الکترون-فوتون برای درنظر گرفتن اثرات نورتابشی در سیستم ملاحظه می شود. سپس با به دست آوردن معادلات تحول سیستم و محاسبه جریان های اسپینی, ترابرد اسپینی سیستم مطالعه می شود. یافته ها: نتایج نشان می دهند با افزایش مقدار جفت شدگی الکترون-فوتون تغییرات فاحشی در جریان اسپینی عبوری از سیستم مشاهده می شود. از طرفی, جفت شدگی الکترون-فوتون نیز تاثیر بسزایی روی جریان اسپینی عبوری از سیستم دارد, به طوری که در مقدار جفت شدگی الکترون-فوتون پایین حتی با افزایش انرژی فوتون تغییر چندانی در جریان اسپینی مشاهده نمی شود اما زمانی که جفت شدگی الکترون-فوتون افزایش می یابد انرژی فوتون به عنوان یک فاکتور کلیدی عمل می کند که می تواند جریان اسپینی عبوری را کنترل کند. زمانی که انرژی فوتون به 1 الکترون-ولت می رسد بیشترین جریان اسپینی از سیستم عبور می کند. نتیجه گیری: اندرکنش با فونون های شبکه و تابش نور می تواند از عوامل تاثیرگذار بر ترابرد اسپین در سیستم های زیستی باشد. می توان گفت با تنظیم انرژی فوتون تابشی و تغییر جفت شدگی می توان جریان اسپینی را کنترل کرد که در طراحی ابزارهای اپتوالکتریکی کاربرد دارد. ابزارهای اپتوالکتریکی, یکی از اجزای اصلی حسگرهای زیستی هستند که در تشخیص بیماری ها و علل آنها نقش بسزایی دارند.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

    استناددهی

    APA: کپی

    فتحی زاده، سمیرا. (1401). جفت شدگی با فونون در زنجیره های DNA تحت تابش فوتون: رویکردی برای طراحی یک تراشه حسگر زیستی. لیزر در پزشکی، 19(4)، 9-16. SID. https://sid.ir/paper/1090019/fa

    Vancouver: کپی

    فتحی زاده سمیرا. جفت شدگی با فونون در زنجیره های DNA تحت تابش فوتون: رویکردی برای طراحی یک تراشه حسگر زیستی. لیزر در پزشکی[Internet]. 1401؛19(4):9-16. Available from: https://sid.ir/paper/1090019/fa

    IEEE: کپی

    سمیرا فتحی زاده، “جفت شدگی با فونون در زنجیره های DNA تحت تابش فوتون: رویکردی برای طراحی یک تراشه حسگر زیستی،” لیزر در پزشکی، vol. 19، no. 4، pp. 9–16، 1401، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1090019/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button