مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,646
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

692
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

کاهش تحریک پذیری سلول عصبی F1 حلزون باغی در اثر تابش میدان های مغناطیسی با فرکانس 217 هرتز ناشی از گوشی های موبایل GSM900

صفحات

 صفحه شروع 176 | صفحه پایان 183

چکیده

 هدف: بررسی تاثیر میدان های مغناطیسی کم فرکانس 217 هرتز ناشی از گوشی موبایل 900 GSM بر فعالیت بیوالکتریک سلول عصبی F1 حلزون باغی.مواد و روش ها: بر اساس اندازه گیری شدت میدان های مغناطیسی ناشی از گوشی موبایل, محدوده ای از چگالی شار میدان مغناطیسی (229-46/0 میکروتسلا) با فرکانس 217 هرتز در سیستم مولد میدان مغناطیسی ایجاد شد. فعالیت بیوالکتریک سلول های عصبی F1 با استفاده از روش ثبت داخل سلولی تکنیک گیرش جریان در فواصل زمانی مختلف در گروه کنترل, تجربی کاذب و گروه های تجربی بررسی شد.یافته ها: تابش میدان های مغناطیسی موجب کاهش دامنه و فرکانس پتانسیل های عمل سلول عصبی F1 شد. هم چنین دامنه هیپرپلاریزاسیون متعاقب و طول مدت پتانسیل عمل پس از تابش به طور معنی داری (05/0>p) افزایش یافت. تغییر در پارامترهای الکتروفیزیولوژیک سلول همراه با کاهش تحریک پذیری سلول بود. اعمال میدان مغناطیسی تاثیر دوگانه ای شامل دپلاریزاسیون و هیپرپلاریزاسیون بر پتانسیل استراحت غشا داشت. با توجه به شرایط آزمایش, تغییرات ایجاد شده ناشی از اعمال میدان مغناطیسی بر بسیاری از ویژگی های بیوالکتریک سلول های عصبی F1 برگشت پذیر بود.نتیجه گیری: نتایج حاصل از این تحقیق نشان می دهد که میدان های مغناطیسی 217 هرتز گوشی موبایل با شدت های مختلف روی فعالیت خودبه خودی سلول های عصبی F1 تاثیر گذاشته و تغییرات ایجاد شده در پارامترهای بیوالکتریک سلول های عصبی موجب کاهش تحریک پذیری سلول های عصبی می شود. این اثرات در ویژگی های الکتروفیزیولوژیک سلول عصبی در فلوی متفاوتی از میدان های مغناطیسی, نشان دهنده ارتباط پنجره ای دامنه میدان مغناطیسی با تغییرات ایجاد شده است. برگشت پذیری تغییرات القا شده در اکثر پارامترهای بیوالکتریک ناشی ازتابش میدان مغناطیسی مشاهده شد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    کاویانی مقدم، مهری، فیروزآبادی، سیدمحمد، و جان احمدی، مهیار. (1388). کاهش تحریک پذیری سلول عصبی F1 حلزون باغی در اثر تابش میدان های مغناطیسی با فرکانس 217 هرتز ناشی از گوشی های موبایل GSM900. یاخته، 11(2 (42))، 176-183. SID. https://sid.ir/paper/16404/fa

    Vancouver: کپی

    کاویانی مقدم مهری، فیروزآبادی سیدمحمد، جان احمدی مهیار. کاهش تحریک پذیری سلول عصبی F1 حلزون باغی در اثر تابش میدان های مغناطیسی با فرکانس 217 هرتز ناشی از گوشی های موبایل GSM900. یاخته[Internet]. 1388؛11(2 (42)):176-183. Available from: https://sid.ir/paper/16404/fa

    IEEE: کپی

    مهری کاویانی مقدم، سیدمحمد فیروزآبادی، و مهیار جان احمدی، “کاهش تحریک پذیری سلول عصبی F1 حلزون باغی در اثر تابش میدان های مغناطیسی با فرکانس 217 هرتز ناشی از گوشی های موبایل GSM900،” یاخته، vol. 11، no. 2 (42)، pp. 176–183، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/16404/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button