APA:
کپیدقیقی، آرش، و فرج زاده، آذر. (1388). بهبود رسانای خروجی ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با طول کانال 45 نانومتر با استفاده از شبیه سازی سه بعدی. مهندسی برق مجلسی، 3(1 (8))، 27-32. SID. https://sid.ir/paper/188208/fa
Vancouver:
کپیدقیقی آرش، فرج زاده آذر. بهبود رسانای خروجی ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با طول کانال 45 نانومتر با استفاده از شبیه سازی سه بعدی. مهندسی برق مجلسی[Internet]. 1388؛3(1 (8)):27-32. Available from: https://sid.ir/paper/188208/fa
IEEE:
کپیآرش دقیقی، و آذر فرج زاده، “بهبود رسانای خروجی ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با طول کانال 45 نانومتر با استفاده از شبیه سازی سه بعدی،” مهندسی برق مجلسی، vol. 3، no. 1 (8)، pp. 27–32، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/188208/fa