مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

267
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

473
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب دهی بخار شیمیایی

صفحات

 صفحه شروع 49 | صفحه پایان 58

کلیدواژه

دی کالکوژن فلزات واسطه (TMDCs)Q1
روش رسوب دهی بخار شیمیایی (CVD)Q1

چکیده

 خواص الکترونیکی جالب و ویژگی های کاتالیستی چندلایه های دوبعدی MoS2امروزه توجه محققان را به خود جلب کرده است. در این مقاله سنتز نانوپوسه های MoS2 ایستاده روی زیرلایه SiO2/Si در فرآیند سولفید شدن سریع به روش رسوب بخار شیمیایی, گزارش شده است. مشخصه یابی مواد با استفاده از طیف سنجی رامان, XRD و FE-SEM انجام گردید. نتایج XRD نشان دهنده فاز غالب 2H-MoS2 و فاصله دو پیک برجسته ی E12g و A1g در پراکندگی رامان, ضخامت 6 تا 10 لایه اتمی برای پوسه ها را تصدیق می کند. با توجه به داده های تجربی, مکانیزم رشد را بر اساس دانه بندی و رشد دوبعدی و در مرحله بعدی بهم پیوستن جزایر دوبعدی و در مرحله نهایی رشد پوسه ای ایستاده بهم متصل معرفی کرده ایم. این ساختارهای ایستاده که سایت های فعال زیادی در لبه ها دارند کاربردهای بالقوه و امیدوار کننده ی بسیاری در ترانزیستورهای ظریف, حسگرهای گاز و واکنش های کاتالیستی خواهند داشت.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    برزگر، مریم، و ایرجی زاد، اعظم. (1398). رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب دهی بخار شیمیایی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 9(3 (پیاپی 22) )، 49-58. SID. https://sid.ir/paper/380678/fa

    Vancouver: کپی

    برزگر مریم، ایرجی زاد اعظم. رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب دهی بخار شیمیایی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1398؛9(3 (پیاپی 22) ):49-58. Available from: https://sid.ir/paper/380678/fa

    IEEE: کپی

    مریم برزگر، و اعظم ایرجی زاد، “رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب دهی بخار شیمیایی،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 9، no. 3 (پیاپی 22) ، pp. 49–58، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/380678/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button