مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

261
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

449
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مطالعه ی نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه ای بر خواص ترمو الکتریکی

صفحات

 صفحه شروع 135 | صفحه پایان 147

چکیده

 امروزه با کاربرد گسترده ی مواد ترموالکتریک, توجه به مطالعه ی تئوریک خواص ترموالکتریکی اهمیت خاصی دارد. در این تحقیق با محاسبه ی ضریب سیبک Sو فاکتور شایستگیZ برای ساختارهای کاسه ای شکل(n=1-5) C20-nGen و C20-nSin, سامانه ی ترموالکتریکیِ مناسب, پیش بینی گردیده است. محاسبات به روش کوانتومی در سطح محاسباتیLSDA/6-31G, انجام شده است. در این ساختارها با افزایش دما ازk 278 تا 400k, ضریب سیبک در نیمرساناهای نوع p کاهش و در نیمرساناهای نوع n افزایش می یابد. بزرگترین فاکتور شایستگی با مقدار 1/78 برای C19Ge1 در دمایk 278 و برای C17Si3 در دمای 400k با مقدار 1/03 نتیجه شده است. بنابراین ساختار C19Ge1 به عنوان نیمرسانای نوع p و C17Si3 به عنوان نیمرسانای نوع n با اختلاف دمائی بزرگتر را می توان برای ساخت سامانه ی ترمو الکتریکی انتخاب نمود. ساختارهایِ C20-nGen با تعداد استخلافِ n=1, 2, 5 بعنوان هر دو نوع نیمرسانای n و p و ساختارهایِ C20-nSin با تعداد استخلاف n=3 وn=1, 3 به ترتیب به عنوان نیمرسانای نوع n و نوع p, که فاکتور شایستگی بزرگتر از یک دارند, را می توان در ساخت سامانه ی ترموالکتریکی استفاده نمود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    نیک مرام، فرخ رویا، و قلی زاده آرشتی، مریم. (1399). مطالعه ی نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه ای بر خواص ترمو الکتریکی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 10(2 )، 135-147. SID. https://sid.ir/paper/388698/fa

    Vancouver: کپی

    نیک مرام فرخ رویا، قلی زاده آرشتی مریم. مطالعه ی نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه ای بر خواص ترمو الکتریکی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1399؛10(2 ):135-147. Available from: https://sid.ir/paper/388698/fa

    IEEE: کپی

    فرخ رویا نیک مرام، و مریم قلی زاده آرشتی، “مطالعه ی نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه ای بر خواص ترمو الکتریکی،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 10، no. 2 ، pp. 135–147، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/388698/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا