مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

204
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

571
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تحلیل محاسباتی نقش پروتون های کم انرژی در وقوع به هم ریختگی های تک حادثه ای بر یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS

صفحات

 صفحه شروع 53 | صفحه پایان 62

چکیده

 در این تحقیق به تحلیل محاسباتی نوعی از اثرات پرتو بر قطعات الکترونیک تحت عنوان به هم ریختگی های تک-حادثه ای (SEU) با استفاده از کد Geant4 پرداخته شد و نتایج, با مقادیر گزارش شده در یک کار تجربی مشابه و یک کار شبیه سازی با کد مونت کارلوی CRÈ ME-MC مقایسه گردید. به هم ریختگی های تک حادثه ای رخدادهای رایجی هستند که به طور ناگهانی و با تغییر حالت منطقی قطعه (تبدیل 0 به 1 یا بالعکس) موجب اختلال در عملکرد آن می شوند. در شبیه سازی های انجام شده سطح مقطع به هم ریختگی ناشی از پروتون های کم تر از MeV 10 برای یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS به دست آمد و میزان اثربخشی ذرات و نیز سازوکار ایجاد به هم ریختگی تجزیه و تحلیل شد. نتیجه تحلیل ها نشان دادند, بیش ترین میزان به هم ریختگی ناشی از پروتون های با انرژی کم تر از MeV 1 تحت سازوکار یونش مستقیم و در نتیجه قرارگیری طیف پروتون هایی درون حجم حساس است که بیش ترین توان ایستانندگی را دارند. هم چنین نتایج محاسبات نشان دادند, در انرژی های بین MeV 2 تا MeV 10 پروتون فرودی, سیلیکون های پس زده ناشی از پراکندگی کشسان پروتون ها درون حجم حساس در وقوع به هم ریختگی نقش غالب دارند و سهم پروتون ها و سایر ذرات تولید شده در لایه های قبل از حجم حساس در مقایسه با سیلیکون پس زده ناچیز است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    سلیمانی نیا، معصومه، رئیس علی، غلامرضا، و مصلحی، امیر. (1399). تحلیل محاسباتی نقش پروتون های کم انرژی در وقوع به هم ریختگی های تک حادثه ای بر یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS. مجله علوم و فنون هسته ای، 41(3 (پیاپی 93) )، 53-62. SID. https://sid.ir/paper/400863/fa

    Vancouver: کپی

    سلیمانی نیا معصومه، رئیس علی غلامرضا، مصلحی امیر. تحلیل محاسباتی نقش پروتون های کم انرژی در وقوع به هم ریختگی های تک حادثه ای بر یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS. مجله علوم و فنون هسته ای[Internet]. 1399؛41(3 (پیاپی 93) ):53-62. Available from: https://sid.ir/paper/400863/fa

    IEEE: کپی

    معصومه سلیمانی نیا، غلامرضا رئیس علی، و امیر مصلحی، “تحلیل محاسباتی نقش پروتون های کم انرژی در وقوع به هم ریختگی های تک حادثه ای بر یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS،” مجله علوم و فنون هسته ای، vol. 41، no. 3 (پیاپی 93) ، pp. 53–62، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/400863/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button