مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

399
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

107
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تشخیص پرتو دیدگی سیب زمینی به وسیله اندازه گیری امپدانس الکتریکی

صفحات

 صفحه شروع 31 | صفحه پایان 36

چکیده

 در این کار پژوهشی, هویت سیب زمینی پرتودیده (نوع آلفا), به وسیله امپدانس الکتریکی آن تعیین و بررسی شده است. اعمال جریان متناوبی حدود 3 میلی آمپر همراه با تغییر دادن بسامد آن توسط الکترودهای فلزی که درون برشی از سیب زمینی فرو برده می شود, سبب تغییر امپدانس آن شده و در بسامدهای خاصی تشخیص امکان پذیر می گردد. پارامترهای مورد نظر عبارتند از: نسبت امپدانس ها از صفر تا 180 ثانیه  (Z0/Z180)پس از قراردادن الکترود در نمونه, همچنین نسبت آنها در بسامدهای بالا (50 kHz) به بسامدهای پایین (5 kHz, 0.5, 0.05). نتایج آزمایشها نشان می دهند که افزایش مقدار دز باعث افزایش امپدانس می شود, در صورتی که افزایش بسامد جریان موجب کاهش آن می گردد, به طوری که عملا تشخیص نمونه های پرتودیده در بسامدهای بالاتر ازkHz  50  امکان پذیر نخواهد بود. همچنین نسبت  Z50k/Z5kبه سبب بستگی داشتن به دز جذب شده و تغییرات اندک آن در مدت نگهداری نمونه ها بهترین پارامتر برای تعیین هویت نمونه های پرتودیده, حتی حدود 6 ماه پس از پرتودهی است و می توان با آن مقدار دز را نیز برآورد کرد. از نتایج تجربی بدست آمده در بسامدهای ذکر شده نیز روابط ریاضی مناسبی که نمایانگر ارتباط امپدانس با دز جذب شده و دمای اندازه گیری باشد در قالب سه فرمول استنتاج شد. با این فرمولها می توان مقدار دز را در محدوده دمای اندازه گیری شده (20-35°C) با خطای حداکثر 8 درصد برآورد کرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    شریف زاده، منیره، و سهراب پور، مصطفی. (1382). تشخیص پرتو دیدگی سیب زمینی به وسیله اندازه‌ گیری امپدانس الکتریکی. مجله علوم و فنون هسته ای، -(30)، 31-36. SID. https://sid.ir/paper/423672/fa

    Vancouver: کپی

    شریف زاده منیره، سهراب پور مصطفی. تشخیص پرتو دیدگی سیب زمینی به وسیله اندازه‌ گیری امپدانس الکتریکی. مجله علوم و فنون هسته ای[Internet]. 1382؛-(30):31-36. Available from: https://sid.ir/paper/423672/fa

    IEEE: کپی

    منیره شریف زاده، و مصطفی سهراب پور، “تشخیص پرتو دیدگی سیب زمینی به وسیله اندازه‌ گیری امپدانس الکتریکی،” مجله علوم و فنون هسته ای، vol. -، no. 30، pp. 31–36، 1382، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/423672/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button