مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,529
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

496
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

اثر شرایط مختلف میدان های الکتریکی پالسی قوی بر استخراج قند از چغندر قند

صفحات

 صفحه شروع 151 | صفحه پایان 162

چکیده

 اثر میدان های الکتریکی پالسی قوی بر میزان تخریب سلول های چغندر قند مورد مطالعه قرار گرفت. در این تحقیق اثرشرایط مختلف میدان که شامل قدرت میدان (0.5 تا 6 کیلوولت بر سانتیمتر ), تعداد پالس ( 1تا 100 پالس) و ظرفیت خازن (0.5 تا 32 میکرو فاراد) بر درجه تخریب سلول و انرژی مصرفی چغندر بررسی گردیدند. نتایج اولیه نشان دادند که میدان های با قدرت 2 و 3 کیلوولت بر سانتیمتر, 8 میکرو فاراد به ترتیب با 20 و 10پالس قادرند در کمتر از 1 دقیقه سبب تخریب سلول گردند. مهم ترین عوامل موثر بر قابل نفوذ نمودن سلول های چغندر قند به ترتیب عبارتند از انرژی اعمال شده و قدرت میدان الکتریکی. در مقادیر انرژی مساوی و یا بیشتر از 3.2 کیلوژول بر کیلوگرم با افزایش قدرت میدان میزان تخریب سلولی نیز افزایش می یابد. میزان انتقال جرم پس از تخریب سلولی به وسیله میدان الکتریکی پالسی با اندازه گیری انتقال و نشت یونها و قند ازداخل سلول دردرجه حرارت معمول, حرارت متوسط و بالا (50 , 70 و 80 درجه سانتیگراد) در مدت 15 دقیقه مورد ارزیابی قرار گرفته و با روشهای معمول و سنتی استخراج قند از چغندر (متوسط 75 درجه سانتیگراد) و نیز شرایط حرارت معتدل 50 درجه سانتیگراد مقایسه گردیدند. نتایج نشان دهنده خروج مقادیر قابل ملاحظه ای مواد قندی از سلول پس از اعمال میدان 2 کیلوولت و 8 میکروفاراد در حرارت معمول بود. درحالی که برای حصول همین مقدار قند اعمال حرارت 75 درجه سانتیگراد و زمان طولانی نیازاست. علاوه براین میزان انرژی مصرفی در فرآیند حرارتی تقریبا 20 برابرانرژی مورد نیاز برای میدان الکتریکی پالسی است. با افزایش قدرت میدان میزان بریکس و هدایت الکتریکی در شربت افزایش می یابد و این مساله در افزایش راندمان و بهره وری در تولید قند از چغندر قند در سطح اقتصادی اهمیت زیادی دارد. تنظیم شرایط میدان قدرت میدان, ظرفیت خازن ها, تعداد پالس و تنظیم شرایط محفظه تیمار در صرفه جویی انرژی و افزایش راندمان و مورد نیاز نقش اساسی دارند.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    مسکوکی، عبدالمجید، و اشتیاقی، محمدنقی. (1388). اثر شرایط مختلف میدان های الکتریکی پالسی قوی بر استخراج قند از چغندر قند. پژوهشهای علوم و صنایع غذایی ایران، 5(2 (نیمه دوم))، 151-162. SID. https://sid.ir/paper/476287/fa

    Vancouver: کپی

    مسکوکی عبدالمجید، اشتیاقی محمدنقی. اثر شرایط مختلف میدان های الکتریکی پالسی قوی بر استخراج قند از چغندر قند. پژوهشهای علوم و صنایع غذایی ایران[Internet]. 1388؛5(2 (نیمه دوم)):151-162. Available from: https://sid.ir/paper/476287/fa

    IEEE: کپی

    عبدالمجید مسکوکی، و محمدنقی اشتیاقی، “اثر شرایط مختلف میدان های الکتریکی پالسی قوی بر استخراج قند از چغندر قند،” پژوهشهای علوم و صنایع غذایی ایران، vol. 5، no. 2 (نیمه دوم)، pp. 151–162، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/476287/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی





    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button