Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

892
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

صفحات

 صفحه شروع 11 | صفحه پایان 20

چکیده

 در این مقاله روشهای نوین کاهش اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای اثر میدان مورد آنالیز و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. هم چنین برای اولین بار یک ساختار جدید با نام ترانزیستور "چند گیتی با کانال محافظ" معرفی و طراحی شده است. نتایج شبیه سازیهای دو بعدی نشان می دهند که این ساختار به خوبی می تواند اثرات میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ درین را کاهش دهد. هم چنین تغییرات سد پتانسیل تا ولتاژ 1.5 ولت, تقریبا صفر است. ضمنا این ترانزیستور مشکلاتی از قبیل سخت بودن پروسه ساخت و نیاز به منبع تغذیه اضافی را که در ساختارهای مشابه با آن وجود دارند را ندارند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    اروجی، علی اصغر. (1387). آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید. مجله بین المللی علوم مهندسی(انگلیسی)، 19(10 الف (ویژه نامه مهندسی برق، صنایع و عمران))، 11-20. SID. https://sid.ir/paper/505149/fa

    Vancouver: کپی

    اروجی علی اصغر. آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید. مجله بین المللی علوم مهندسی(انگلیسی)[Internet]. 1387؛19(10 الف (ویژه نامه مهندسی برق، صنایع و عمران)):11-20. Available from: https://sid.ir/paper/505149/fa

    IEEE: کپی

    علی اصغر اروجی، “آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید،” مجله بین المللی علوم مهندسی(انگلیسی)، vol. 19، no. 10 الف (ویژه نامه مهندسی برق، صنایع و عمران)، pp. 11–20، 1387، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/505149/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی SID
    strs
    دانشگاه امام حسین
    بنیاد ملی بازیهای رایانه ای
    کلید پژوه
    ایران سرچ
    ایران سرچ
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا