مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,340
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

408
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی خواص الکتریکی لایه های نازک ZnO-Bi2O3

صفحات

 صفحه شروع 11 | صفحه پایان 24

چکیده

 مقدمه: وریستورها قطعات الکترونیکی سرامیکی هستند که کار اولیه آنها محدود کردن نوسانات زودگذر ولتاژ و محدود کردن ولتاژ در اندازه ای که برای سیستم مضر نباشد, میباشند. وریستورهای اکسید روی دارای منحنی مشخصه جریان ولتاژ غیرخطی و متقارن میباشند. یکی از مهمترین ترکیباتی که برای ساخت وریستورها مورد استفاده قرار میگیرد ZnO-Bi2O3 است. اگر چه مشخص شده که مواد بین دانه ای احتمالا به علت وجود سدهای پتانسیل در مرزدانه ها عهده دار رفتار غیر خطی وریستورها میباشند, جزییات مکانیسم هنوز شناخته نشده است.هدف: بررسی خواص الکتریکی لایه های نازک ZnO-Bi2O3 و ساختار ساندویچی Al-ZnO-Al و تحلیل اندازه گیری به روش پروب 4 نقطه ای و پروب 2 نقطه ای در سلول خلا.روش بررسی: در این مطالعه ZnO-Bi2O3 و ساختار ساندویچی Al-ZnO-Al, بر اساس مدل مرزدانه منحصر به فرد بررسی میشوند. مکانیسم رسانش با مطالعه مشخصات I-V در خلا تحقیق شده است. برای تهیه نمونه ها, از روش کندوپاش R-F برای لایه نشانی ZnO و روش تبخیر در خلا برای تهیه لایه Bi2O3 و Al استفاده گردید. تاثیر خلا و افزایش دما را در نمودارهای مشخصات I-V مورد بررسی قرار دادیم.نتایج: در اندازه گیری ZnO با پروب 4 نقطه ای به دلیل بالا بودن مقاومت ZnO هنگام اندازه گیری ولتاژ و جریان دایما تغییر کرده و قابل اندازه گیری نبودند, که این مساله می تواند بیانگر این موضوع باشد که تماسهای ما در نوک پروبها تماس غیر اهمیک بوده اند. در صورتیکه در اندازه گیری با پروب 4 نقطه ای تماس ها باید اهمیک باشد. لذا با توجه به محدودیت هایی که در اندازه گیری با پروب 4 نقطه ای وجود دارد و در متن مقاله به آنها اشاره شده اندازه گیری های با پروب 4 نقطه ای در اکثر موارد فاقد اعتبار است و فقط میتوان به اندازه گیری های ساختار ساندویچی Al-ZnO-Al که در خلا  انجام می شود اطمینان کرد. از سوی دیگر, از بررسی نمودارهای ساختار ساندویچی Al-ZnO-Al, دو نتیجه متناقض گرفته شد. کنده شدن اتصال چسب نقره در اثر افزایش دما احتمالا بیانگر اینست که مشخصه I-V  ارایه شده مربوط به ZnO نمی باشد. از سوی دیگر ساختار ساندویچی می تواند هدایت الکتریکی را از حجم نمونه نشان دهد. اندازه گیری های انجام شده روی نمونه ZnO-Bi2O3 در این تحقیق احتمالا مربوط به هدایت از سطح نمونه است در حالیکه استفاده از ساختار ساندویچی درمقالات, منجر به اندازه گیری هدایت الکتریکی از داخل حجم نمونه شده است. با بررسی اندازه گیری انجام شده, اندازه گیری با پروب 4 نقطه ای به علت وجود رطوبت و هدایت سطحی, هدایت الکتریکی بیشتری در مقایسه با اندازه گیری در خلا نشان میدهد و وجود خلا و افزایش دمای نمونه, هدایت را کاهش داده و رسانندگی را کمتر می کند.نتیجه گیری: اندازه گیری هدایت الکتریکی نمونه های ZnO-Bi2O3 دو لایه ای و ساختار ساندویچی Al-ZnO-Al نشان میدهد که با توجه به محدودیت های پروب 4 نقطه ای, تماس ها باید اهمیک بوده و نقطه تماس پروب ها با نمونه حداقل مقاومت را داشته باشد. ولی چون اندازه گیری ها در خلا انجام نمی شود ممکن است تماس ها کاملا اهمیک نباشند و بنابراین شرط اندازه گیری را برآورده نمی کند.و با توجه به اینکه اندازه گیری با پروب 2 نقطه ای در خلا انجام میشود فقط می توان به اندازه گیری های ساختار ساندویچی Al-ZnO-Al که در خلا انجام میشود اطمینان کرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    عشقی گنبکی، سیما، جلیلیان نصرتی، محمدرضا، و تاییدی، فرزاد. (1389). بررسی خواص الکتریکی لایه های نازک ZnO-Bi2O3. علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)، 20(75 (ویژه نامه فیزیک))، 11-24. SID. https://sid.ir/paper/70510/fa

    Vancouver: کپی

    عشقی گنبکی سیما، جلیلیان نصرتی محمدرضا، تاییدی فرزاد. بررسی خواص الکتریکی لایه های نازک ZnO-Bi2O3. علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)[Internet]. 1389؛20(75 (ویژه نامه فیزیک)):11-24. Available from: https://sid.ir/paper/70510/fa

    IEEE: کپی

    سیما عشقی گنبکی، محمدرضا جلیلیان نصرتی، و فرزاد تاییدی، “بررسی خواص الکتریکی لایه های نازک ZnO-Bi2O3،” علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)، vol. 20، no. 75 (ویژه نامه فیزیک)، pp. 11–24، 1389، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/70510/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی





    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button