مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله همایش

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

288
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

168
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله همایش

عنوان

نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 در این پژوهش لایه های اکسیدی دی اکسی دسیلیسیم (SiO2) سپس نیترید سیلیسیم (Si3N4) با ضخامت مناسب، بر روی پولک ایندیم آنتیموناید (InSb) به روش PECVD، نشانده شده است. مقدار ضخامت اکسید یکی از عواملی است که می تواند در نشت سطحی جریان در آشکارساز تابش مادون قرمز در ساختار MIS نقش مهمی داشته باشد. کلیه مراحل لایه نشانی، ضرورت غیرفعال سازی سطح نیمه هادی، کیفیت لایه نهشته شده، و تشخیص نوع زیرلایه به کمک منحنی C-V در این مقاله مورد بررسی قرار می گیرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    شیرین زاده، حاجی، برنای زنوزی، ثریا، صارمی نیا، قدرت اله، و سیمچی، حمیدرضا. (1386). نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V. کنفرانس ملی خلاء ایران. SID. https://sid.ir/paper/810214/fa

    Vancouver: کپی

    شیرین زاده حاجی، برنای زنوزی ثریا، صارمی نیا قدرت اله، سیمچی حمیدرضا. نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V. 1386. Available from: https://sid.ir/paper/810214/fa

    IEEE: کپی

    حاجی شیرین زاده، ثریا برنای زنوزی، قدرت اله صارمی نیا، و حمیدرضا سیمچی، “نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V،” presented at the کنفرانس ملی خلاء ایران. 1386، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/810214/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button