مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

820
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

534
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

محاسبه پروفایل فوتونهای پراکنده شده در سیستمهای سی تی اسکن 64 برش با استفاده از اندازه گیری عملی

صفحات

 صفحه شروع 1 | صفحه پایان 10

چکیده

 مقدمه: یکی از پارامترهای موثر در کاهش کیفیت تصاویر در سیستمهای توموگرافی کامپیوتری, ثبت فوتونهای پراکنده می باشد. میزان ثبت فوتونهای پراکنده بستگی به هندسه اسکنر و همچنین شکل و مواد جسم مورد تصویر برداری دارد. جهت انجام اصلاحات لازم نحوه توزیع و مقدار فوتونهای پراکنده ثبت شده در پروسه جمع آوری اطلاعات باید شناخته شود. روشهای عملی اندازه گیری فوتونهای پراکنده مبتنی بر مسدود کردن پرتوهای اولیه در یک نقطه, تنها مقدار فوتونهای پراکنده را در یک نقطه محاسبه می کنند حال آنکه پروفایل فوتونهای پراکنده در تمام آشکارسازها می تواند بسیار موثرتر باشد. در این تحقیق تلاش شده است تا پروفایل فوتونهای پراکنده مربوط به سی تی اسکن 64 اسلایس با روش اندازه گیری عملی جدیدی اندازه گیری شود.روش کار: جهت اندازه گیری عملی فوتونهای پراکنده از آرایه تک بعدی مسدود کننده های سربی استفاده شد که با قرار دادن این آرایه در زیر کالیماتور محدود کننده پرتو و پرتودهی فانتوم, فایل داده های خام حاصل از پرتودهی مستقیما از آشکار ساز دستگاه استخراج شد.نتایج: با بدست آوردن منحنیهای فوتونهای پراکنده و بهره فوتونهای پراکنده به اولیه مشاهده شد که افزایش ولتاژ تیوب ازکیلو ولتاژ پیک 80 به کیلو ولتاژ پیک 140 باعث کاهش 80 درصدی بهره فوتونهای پراکنده به اولیه در فانتوم آب می شود, افزایش فاصله فانتوم و آشکارساز به اندازه 20.9 سانتی متر موجب 30 درصد افزایش بهره فوتونهای پراکنده به اولیه در آشکار سازهای مرکزی می شود.نتیجه گیری: روش اندازه گیری عملی ارایه شده قابلیت استخراج توزیع فوتونهای پراکنده فقط با یکبار اکسپوز فانتوم را داراست و روش مناسبی جهت تخمین فوتونهای پراکنده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    اکبرزاده، افشین، آی، محمدرضا، قدیری، حسین، و سرکار، سعید. (1388). محاسبه پروفایل فوتونهای پراکنده شده در سیستمهای سی تی اسکن 64 برش با استفاده از اندازه گیری عملی. مجله فیزیک پزشکی ایران، 6(2 (پیاپی 23))، 1-10. SID. https://sid.ir/paper/97024/fa

    Vancouver: کپی

    اکبرزاده افشین، آی محمدرضا، قدیری حسین، سرکار سعید. محاسبه پروفایل فوتونهای پراکنده شده در سیستمهای سی تی اسکن 64 برش با استفاده از اندازه گیری عملی. مجله فیزیک پزشکی ایران[Internet]. 1388؛6(2 (پیاپی 23)):1-10. Available from: https://sid.ir/paper/97024/fa

    IEEE: کپی

    افشین اکبرزاده، محمدرضا آی، حسین قدیری، و سعید سرکار، “محاسبه پروفایل فوتونهای پراکنده شده در سیستمهای سی تی اسکن 64 برش با استفاده از اندازه گیری عملی،” مجله فیزیک پزشکی ایران، vol. 6، no. 2 (پیاپی 23)، pp. 1–10، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/97024/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button