مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

47
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

14
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله همایش

عنوان

محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

چکیده

 در این مقاله به کمک مدل مداری خازنی, رابطه ی ولتاژ آستانه را برای یک افزاره ی سیلیکون بر روی الماس محاسبه می نماییم. برای مدل خازنی این ادوات با در نظر گرفتن این نکته که در این ساختار در مقایسه با افزاره های سیلیکون بر روی عایق, الماس جانشین دی اکسید سیلیکون دفن شده گردیده است, می توان از مدل خازنی ادوات سیلیکون بر روی عایق (با در نظر گرفتن مشخصات الماس به جای دی اکسید سیلیکون دفن شده) استفاده نمود. در این راستا در ابتدا به بررسی تمامی خازن های موجود در مدل مداری در نظر گرفته شده ی این افزاره پرداخته و با ارائه روابط تحلیلی, راه را برای محاسبه ی این خازن ها هموار می نماییم. همچنین با به کار بردن روش تحلیلی گره در دو نقطه ی موجود در این مدل مداری با پتانسیل سطوح 𝜳, s1و 𝜳, s2, رابطه مورد نظر محاسبه می گردد. هدف از این محاسبات علاوه بر استخراج رابطه ی ولتاژ آستانه از مدل خازنی این ادوات, ایجاد یک رابطه, با دقت عمل مناسب جهت پیش بینی عملکرد این افزاره ها در شرایط آستانه می باشد. به همین جهت نتایج بدست آمده از این روابط تحلیلی را در ابعاد مختلف ترانزیستور با مقادیر حاصل از شبیه سازی افزاره مقایسه نمودیم که حاصل آن یک تطبیق مطلوب بین این نتایج می باشد. همچنین در نتایج حاصل شده می توان تاثیر تغییرات ابعاد قسمت های مهم افزاره ی سیلیکون بر روی الماس همچون ضخامت لایه اکسید گیت, ضخامت لایه سیلیکونی زیر گیت, ضخامت لایه الماس دفن شده را بر روی ولتاژ آستانه مشاهده نمود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    دادخواه، افشین، و دقیقی، آرش. (1401). محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی. کنفرانس ملی فناوریهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر. SID. https://sid.ir/paper/996083/fa

    Vancouver: کپی

    دادخواه افشین، دقیقی آرش. محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی. 1401. Available from: https://sid.ir/paper/996083/fa

    IEEE: کپی

    افشین دادخواه، و آرش دقیقی، “محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی،” presented at the کنفرانس ملی فناوریهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر. 1401، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/996083/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button