در این مقاله، محاسبات کامل مربوط به انواع تلفات موجود در مبدل های ماتریسی شامل تلفات حالت هدایت و کلیدزنی ارایه می شود. معمولا یک مدار اسنابر R-C کوچک برای محدود کردن ولتاژ کلیدها در محدوده قابل قبول، در دو سر هر یک از کلیدهای دو طرفه قرار می گیرد. در این مقاله، تحلیل کامل تلفات مدار اسنابر نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می هد که این آرایش ساده مدار اسنابر باعث افزایش تلفات مبدل می شود. به عبارت دیگر، تلفات مدار اسنابر در مقایسه با کل تلفات نیمه هادی ها، مقادیر بیش تری را به خود اختصاص می دهند. یکی دیگر از نتایج این تحقیق این است که تلفات مدار اسنابر در یک مبدل ماتریسی مستقل از فرکانس های ورودی و خروجی و هم چنین ضرایب توان های ورودی و خروجی بوده و مقدار آن به طور عمده بستگی به ولتاژ ورودی، خازن مدار اسنابر و فرکانس کلیدزنی دارد. در این مقاله، نشان داده شده است که سهم زیاد انرژی تلف شده در حالت هدایت، مستقل از الگوی کلیدزنی و ضریب توان بار می باشد. هم چنین اکثر تلفات کلیدزنی در زمان روشن شدن کلید، ناشی از خازن مدار اسنابر است. هم خوانی بسیار خوبی بین محاسبات ریاضی ارایه شده در این مقاله مقادیر اندازه گیری شده در آزمایشگاه وجود دارد.