در این کار تجربی، ابتدا مواد خالص Te, Sb, Bi با درجه خلوص 99.999 به روش تبخیر و چگالش در خلا فراهم گردید. محلول جامد (Bi2Te3)x(Sb2Te3)1-x با xهای 0.20≤x≤0.30 در کپسول های کوارتز در خلا 10-6Torr ذوب و به منظور بلور کردن محلول جامد به دست آمده، با روش رشد ناحیه ای با آهنگ رشد 8mm/h (سرعت حرکت کوره) در دمای 720°C رشد داده شد و جهت تنش زدایی در دمای 370°C به مدت 24 ساعت مورد عملیات گرمایی قرار گرفت. تصاویر میکروسکوپ الکترونی گرفته شده از نمونه ها بلور شدن آرمانی آنها را در راستای رشد نشان می دهد. در مرحله بعد رسانندگی الکتریکی σ، ضریب سیبک α و رسانندگی گرمایی κ، قطعات نیمرسانای ساخته شده اندازه گیری شد و بیشینه ضریب بهره Z=α2σ/κ برای نمونه با x=0.25 برابر Z=2.654×10-3K-1 به دست آمد.