مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

396
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

523
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

سنتز لایه های نازک اکسید روی با روش سل-ژل و کاربرد آن برای بهبود کارایی سلول های خورشیدی سیلیکونی

صفحات

 صفحه شروع 343 | صفحه پایان 356

چکیده

 در این تحقیق لایه نازک اکسیدروی(ZnO) به عنوان لایه ضد بازتاب به روش سل-ژل و با استفاده از تکنیک پوشش دهی چرخشی بر روی سیلیکون p-n لایه نشانی, و اثر آن به عنوان لایه ضد بازتاب در سلول خورشیدی و افزایش راندمان سلول خورشیدی مورد توجه و بررسی قرار گرفت. در این روش از استات روی دوآبه به عنوان پیش ماده, و از مونواتانول آمین(MEA) و دی اتانول آمین(DEA) به عنوان پایدار کننده, و از ترکیبات دو متوکسی اتانول, ایزو پروپیل الکل و اتانول به عنوان حلال استفاده شد. بعد از لایه نشانی, نمونه ها توسط سشوار صنعتی در دمای150 درجه سانتیگراد به مدت 10 دقیقه پیش حرارت داده شد و سپس نمونه ها در دمای 470 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت در داخل کوره الکتریکی حرارت داده شدند و سپس اتصالات فلزی پشت (Al) و اتصالات فلزی جلوی سلول خورشیدی(Ag) را به ترتیب با روش PVD و تکنیک چاپ سطحی (شابلونی) بر روی سلول خورشیدی نصب گردید. برای مشخصه یابی لایه های نازک ZnO از پراش اشعه ایکس ( XRD), تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی ( FESEM) و از دستگاه پراب چهار نقطه ای برای اندازه گیری مقاومت سطحی نمونه ها کمک گرفته شد. همچنین برای بررسی خواص الکتریکی و تعیین پارامترهای قطعه سلول خورشیدی از دستگاه شبیه ساز خورشیدی استفاده شد. نتایج حاصل نشان دادند که نانو ساختار ZnO با ساختار شش گوشی با اندازه 30-50 نانومتر بر روی سطح سیلیکون تشکیل شده و بعنوان یک لایه ضدبازتاب باعث شده که راندمان سلول خورشیدی سیلیکونی افزایش یابد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    جلالی، علیرضا، واعظی، محمدرضا، نادری، نیما، تاج آبادی، فریبا، و افتخاری، عباس. (1399). سنتز لایه های نازک اکسید روی با روش سل-ژل و کاربرد آن برای بهبود کارایی سلول های خورشیدی سیلیکونی. شیمی کاربردی، 15(55 )، 343-356. SID. https://sid.ir/paper/404615/fa

    Vancouver: کپی

    جلالی علیرضا، واعظی محمدرضا، نادری نیما، تاج آبادی فریبا، افتخاری عباس. سنتز لایه های نازک اکسید روی با روش سل-ژل و کاربرد آن برای بهبود کارایی سلول های خورشیدی سیلیکونی. شیمی کاربردی[Internet]. 1399؛15(55 ):343-356. Available from: https://sid.ir/paper/404615/fa

    IEEE: کپی

    علیرضا جلالی، محمدرضا واعظی، نیما نادری، فریبا تاج آبادی، و عباس افتخاری، “سنتز لایه های نازک اکسید روی با روش سل-ژل و کاربرد آن برای بهبود کارایی سلول های خورشیدی سیلیکونی،” شیمی کاربردی، vol. 15، no. 55 ، pp. 343–356، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/404615/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button