Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,223
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

502
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا

صفحات

 صفحه شروع 1 | صفحه پایان 6

چکیده

 در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می شود که مشخصات DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه ساز دوبعدی بررسی می شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از 13V در ساختار متداول به 19V در ساختار جدید افزایش یافته و بهبودی حدود %47 داشته است لذا توان ماکزیمم ساختار از 0.19 W/mm به 0.25 W/mm بهبود یافته است. همچنین به دلیل کاهش خازن گیت- درین و خازن گیت- سورس مشخصه های فرکانسی از جمله فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان و نویز بهبود یافته است. نتایج نشان می دهد که ساختار پیشنهادی مشخصه های توان و فرکانسی بهتری نسبت به ساختار متداول ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- نیمه هادی در تکنولوژی SOI را دارا است.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    اروجی، علی اصغر، رمضانی، زینب، و رحیمی فر، عاطفه. (1395). ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، 46(4 (پیاپی 78))، 1-6. SID. https://sid.ir/paper/497142/fa

    Vancouver: کپی

    اروجی علی اصغر، رمضانی زینب، رحیمی فر عاطفه. ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)[Internet]. 1395؛46(4 (پیاپی 78)):1-6. Available from: https://sid.ir/paper/497142/fa

    IEEE: کپی

    علی اصغر اروجی، زینب رمضانی، و عاطفه رحیمی فر، “ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا،” مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز)، vol. 46، no. 4 (پیاپی 78)، pp. 1–6، 1395، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/497142/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا