مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

970
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

852
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی اثرات دمایی ترانزیستور 45mn سیلیکون روی الماس

صفحات

 صفحه شروع 63 | صفحه پایان 68

چکیده

 در این مقاله مشخصه های دمایی زیرپایه های سیلیکون روی عایق (SOI) و سیلیکون روی الماس (SOD) با طول کانال 45nm, با استفاده از شبیه سازی هیدرودینامیک مورد بررسی قرار گرفته است. از آنجا که الماس دارای هدایت گرمایی بسیار بالایی در مقایسه با اکسید سیلیکون بوده, لذا با انتقال سریع گرما در زیرپایه های سیلیکون روی الماس, دمای شبکه نسبت به زیرپایه های سیلیکون روی عایق بسیار افت کرده, به طوری که امکان استفاده از این زیرپایه ها را در شرایط دمایی یکسان و توان بالاتر فراهم می کند. از طرفی در مدارات مجتمع بر پایه تکنولوژی سیلیکون روی الماس, هدایت یکنواخت و سریع گرما توسط لایه الماس موجب همدما شدن ترانزیستورهای کناری با دمای ترانزیستور فعال می گردد. در این مقاله برای اولین بار اثر عایق مدفون الماس در انتقال گرمای تولید شده به ترانزیستورهای کناری مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج شبیه سازی بیانگر افزایش جریان خاموشی (Ioff) ترانزیستورهای کناری تا میزان 8 برابر می باشد. این وابستگی دمایی, باعث افزایش جریان خاموشی ترانزیستورهای کناری و ایجاد مساله عدم انطباق در مدارات مجتمع می گردد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

    استناددهی

    APA: کپی

    دقیقی، آرش، و زمانی، شهین. (1388). بررسی اثرات دمایی ترانزیستور 45mn سیلیکون روی الماس. مهندسی برق مجلسی، 3(4 ( 11))، 63-68. SID. https://sid.ir/paper/188198/fa

    Vancouver: کپی

    دقیقی آرش، زمانی شهین. بررسی اثرات دمایی ترانزیستور 45mn سیلیکون روی الماس. مهندسی برق مجلسی[Internet]. 1388؛3(4 ( 11)):63-68. Available from: https://sid.ir/paper/188198/fa

    IEEE: کپی

    آرش دقیقی، و شهین زمانی، “بررسی اثرات دمایی ترانزیستور 45mn سیلیکون روی الماس،” مهندسی برق مجلسی، vol. 3، no. 4 ( 11)، pp. 63–68، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/188198/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button