نتایج جستجو

2103

نتیجه یافت شد

مرتبط ترین ها

اعمال فیلتر

به روزترین ها

اعمال فیلتر

پربازدید ترین ها

اعمال فیلتر

پر دانلودترین‌ها

اعمال فیلتر

پر استنادترین‌ها

اعمال فیلتر

تعداد صفحات

211

انتقال به صفحه



فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


مرکز اطلاعات علمی SID1
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1385
  • دوره: 

    1
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    1-9
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    843
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

در این مقاله چگالی بارهای سطحی سیلیکان در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/Si0.81Ge0.19/Si ارزیابی شده است. وجود یک چاه کوانتمی (QW) در محل لایه آلیاژی (SiGe) نوار ظرفیت این ساختار باعت می شود که در نزدیکی میان گاه پایین (معکوس) Si/SiGe/Si یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) تشکیل شود. چگالی سطحی گاز حفره ای دو بعدی nh، که به درصد Ge در آلیاژ و سایر پارامترهای ساختار بستگی دارد، شدیدا متاثر از چگالی بارهای سطحی nsur روی سطح لایه Si پوششی است و با افزایش ضخامت لایه پوششی، افزایش می یابد. از مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری نتیجه می شود که با کاهش ضخامت لایه پوششی (400-150nm)، چگالی بارهای سطحی nsur در ساختارهای مورد مطالعه افزایش می یابد و تغییرات آن در گستره [(1-2.5)±0.2]´1011/cm2 ارزیابی می شود. بعلاوه فاصله تراز فرمی از لبه نوار ظرفیت در سطح آزاد Si برابر با DEFV = (0.5±0.05)eV برآورد می شود.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 843

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

MOTIEI FAR A. | RASHIDIAN B.

نشریه: 

SCIENTIA IRANICA

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2003
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    477-480
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    385
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

The wafer bonding process has many applications in the fabrication of microelectronic, optoelectronic, power and microinachined devices. In this article fusion bonding of silicon, wafers and study of their interface are reported for the first time in Iran. Also, the bonding of two silicon wafers, with one (or both) of the wafers having a thermally grown silicon dioxide layer, has been performed and tested.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 385

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1386
  • دوره: 

    3
تعامل: 
  • بازدید: 

    564
  • دانلود: 

    140
کلیدواژه: 
چکیده: 

در این مقاله مشخصه یابی الکتریکی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si که با سیستم رونشانی پرتو ملکولی (MBE) رشد یافته می پردازیم. پس از رشد ساختار، ولتاژ عرضی هال در گستره دمایی 60 تا 300 کلوین اندازه گیری شده و متعاقبا وابستگی دمایی ضریب هال به دست آمده است. با برازش نظری تغییرات دانسیته سطحی حفره ها نسبت به دما، چگالی و انرژی یونش ناخالصی، فاکتور هال و ضریب بالا کشیدگی تراز فرمی محاسبه شده است.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 564

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 140
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    23
تعامل: 
  • بازدید: 

    165
  • دانلود: 

    88
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 165

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 88
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2008
  • دوره: 

    3
تعامل: 
  • بازدید: 

    165
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF SILICON-BORON SLAB DOPING IN THE SI/SI-B/SI STRUCTURE GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY (MBE) HAS BEEN CONSIDERED IN THIS PAPER. AFTER GROWTH, THE TRANSVERSAL HAL VOLTAGE HAS BEEN MEASURED IN THE 60-300K TEMPERATURE RANGE AND TEMPERATURE DEPENDENCE OF HALL COEFFICIENT HAS BEEN DETERMINED. THE VOLUME CONCENTRATION AND BINDING ENERGY OF DO PANT, HALL FACTOR AND LIFTING COEFFICIENT OF FERMI LEVEL HAVE BEEN DETERMINED BY THEORETICAL SIMULATION OF HOLE SHEET DENSITY VERSUS TEMPERATURE.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 165

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
نویسندگان: 

صادق زاده محمدعلی

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1386
  • دوره: 

    15
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    135-146
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    697
  • دانلود: 

    528
چکیده: 

در این کار، ساختارهای رونشانده تکریخت دور آلاییده وارون p-Si/Si1-xGex/Si  با پراش پرتو X و روش الکتریکی مشخصه یابی شده اند. در نتیجه سمتگیری متفاوت صفحات براگ همخوان با لایه کرنش یافته تراکمی SiGe نسبت به لایه Si، می توان نسبت (x) Ge، و ضخامت لایه پوششی (lc) را با شبیه سازی کامپیوتری شدت و جدایی زاویه ای قله های (004) مشاهده شده در طرح پراش این ساختارها تعیین کرد. از طرفی در لایه SiGe، یک گاز حفره ای دو بعدی با چگالی سطحی ns تشکیل و به روش هال اندازه گیری شد و با اعمال ولتاژ متناسب به دریچه مصنوعی (Vg) قابل کنترل است. در مشخصه یابی به روش الکتریکی، دو مشخصه x و lc با برازش نظری تغییرات خطی ns بر حسب Vg به دست آمده اند. در خاتمه عوامل موثری که موجب عدم قطعیت نتایج هر روش و اختلاف جزیی آنها می شود نیز توضیح داده شده اند.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 697

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 528 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
همکاران: 

کاظم-حنایی

کارفرما: 

جهاد دانشگاهی

مجری: 

واحد تهران

اطلاعات : 
  • تاریخ پایان: 

    آذر 1381
تعامل: 
  • بازدید: 

    225
کلیدواژه: 
چکیده: 

آلیاژ مس نیکل سیلیسیم کرم، آلیاژی است که دارای خواص مکانیکی برتری نسبت به دیگر آلیاژهای مس می باشد. این آلیاژ به طور ویژه در کاربردهایی استفاده می شود که به طور همزمان خواص ضد سایش و هدایت حرارتی بالا مورد نظر است. لازم به ذکر است که آلیاژ فوق دارای سختی حدود 230 برینل و هدایت الکتریکی حدود 45% (مس خالص) می باشد که اعداد قابل توجهی می باشد. این پروژه با تائید کارفرما مرحله تولید خود را طی می کند.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 225

نویسندگان: 

Shahraki Mojtaba | Ghadrdan Majid

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2021
  • دوره: 

    15
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    19-26
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    23
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

In this paper, the optical properties of laterally oriented core-shell nanowire silicon solar cells (NWSCs) are optimized. The optimum structure consists of an array with non-uniform hexagonal nanowires (NWs). Each NW is constructed from an amorphous silicon layer sandwiched between two crystalline silicon layers. In order to improve the light absorption and short circuit current density (Jsc) of NWSC, a particle swarm optimization (PSO) algorithm is used to optimize the geometrical parameters of NWs. It is shown that the optimized structure has advantageous performance in terms of light absorption and Jsc. Finally, a multiple structure composed of two NWs with different morphologies and the optimized dimensions is proposed to utilize NWSCs better.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 23

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

SHEIKHI M. | SEBT S.A. | KHAJEHNEZHAD A.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2019
  • دوره: 

    13
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    101-106
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    239
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

The properties of L10-FePt nanoparticles can be improved in the presence of MgO and Ag interlayers in direct sputtering and annealing method, respectively. Such properties are crystal and compound ordering, nanostructure and crystal orientation. In this work, FePt nanoparticles in ferromagnetic L10-fct phase were synthesized using sputtering method on Ag and MgO layers. According to XRD analyses, the impact of the presence of these two kinds of interlayer on crystal structure and its orientation has been investigated. Furthermore, the effect of the presence of 10% Ag on these properties has been studied and their granular layer nanostructures were characterized through the FE-SEM analysis. The results show that the presence of Ag as nanocompound and interlayer is desirable on declining the transition temperature and controlling the size during annealing. The presence of MgO as a sublayer in direct synthesis leads to the formation of 10 nm monosize smaller nanoparticles. According to VSM analysis, MgO and Ag sublayers have increased the magnetic coercivity of the FePt nanoparticles by 3. 4 times and 3. 7 times, respectively.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 239

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1393
  • دوره: 

    5
  • شماره: 

    19
  • صفحات: 

    37-47
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    2017
  • دانلود: 

    1000
چکیده: 

با پیشرفت علم و تولید ذرات نانو، کاربرد آنها در بخش های مختلف از جمله کشاورزی مطرح شده است. سیلیسیم یکی از عناصر غذایی مفید برای گیاهان محسوب می شود که باعث افزایش تولید و کیفیت محصول، کاهش تبخیر و تعرق و افزایش مقاومت گیاه در مقابل تنش های غیرزیستی می گردد. به منظور ارزیابی تاثیر سیلیسیم به عنوان عنصر کاهنده اثر تنش و نانوسیلیسیم به احتمال با آثار مشابه اما در اندازه کوچک تر و احتمالا موثرتر بر خصوصیات رویشی، مورفولوژیک و فتوسنتز گوجه فرنگی رقم فالکاتو (Falcato)، آزمایشی در محیط هیدروپونیک در قالب طرح کاملا تصادفی با دو سطح سیلیسیم و نانوسیلیسیم (1 و 2 میلی مولار) و بدون سیلیسیم (به عنوان شاهد) با 4 تکرار انجام شد. خصوصیاتی نظیر شاخص کلروفیل (SPAD)، فتوسنتز، میزان جذب محلول، قطر ساقه و محتوای نسبی آب بافت و تغییرات مورفولوژیک شامل تراکم پرزهای ساقه در طول آزمایش اندازه گیری شد. در پایان آزمایش، وزن تر و خشک و حجم ریشه محاسبه شد. نتایج آزمایش نشان داد که سیلیسیم در فاکتورهای وزن تر و هدایت مزوفیلی موثرتر از نانوسیلیسیم بود. غلظت های 1 و 2 میلی مولار سیلیسیم به ترتیب باعث افزایش معنی دار وزن تر و هدایت مزوفیلی گیاه شد. هرچند این غلظت تاثیر معنی داری بر وزن خشک و میزان نسبی آب بافت نداشت. در مورد کارایی مصرف آب فتوسنتزی و فتوسنتز، نانوسیلیسیم موثرتر از سیلیسیم بود. بیشترین میزان فتوسنتز و کمترین میزان تعرق در غلظت 2 میلی مولار نانوسیلیسیم مشاهده شد. کاربرد سیلیسیم و نانوسیلیسیم باعث کاهش میزان مصرف محلول در سیستم هیدروپونیک شد و کمترین میزان مصرف محلول در غلظت 2 میلی مولار نانوسیلیسیم مشاهده شد. به طورکلی، کاربرد سیلیسیم به شکل فلزی یا نانو، با اندازه ذرات 20 30 نانومتر، در شرایط بهینه رشد گوجه فرنگی و بدون تنش، باعث افزایش فتوسنتز و کارایی مصرف آب فتوسنتزی و خصوصا کاهش مصرف محلول غذایی در شرایط کشت هیدروپونیک شد.

آمار یکساله:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 2017

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 1000 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button