در این تحقیق گروه های سازگاری رویشی VCG چهل جدایه Fusarium oxysporum f.sp. tuberosi عامل بیماری های مهم سیب زمینی در سه مرحله در انبار و مزرعه شامل پوسیدگی خشک فوزاریمی پژمردگی و پوسیدگی انتهایی ساقه سیب زمینی که از مناطق مختلف سیب زمینی کاری استان خراسان جمع آوری شده بودند، با استفاده از جهش یافتگان نیت تعیین شد. ابتدا جهش یافتگان نیت به صورت سکتورهایی در محیط های مختلف کلرات دار تولید شدند. سپس کلاس فنوتیپی جهش یافتکان نیت براساس مشخصات رشدی پرگنه آنها روی محیط پایه که حاوی یکی از پنج نوع منبع نیتروژن (نیترات سدیم، نیتریت سدیم، تارتارات آمونیوم، اسید اوریک و هیپوزانتین) بود، تعیین گردید. بر این اساس 9/49 درصد از جهش یافتگان نیت متعلق به کلاس فنوتیپی nit1، 3/30 درصد به کلاس فنوتیپی nit3 و 9/15 درصد در کلاس فنوتیپی Nit M قرار گرفتند. 9/3 درصد از جهش یافتگان نیت در هیچ کلاس فنوتیی قرار نگرفتند که به آنها crn اطلاق می گردد. به منظور انجام آزمون های مکمل سازی و تعیین گروه های سازگاری رویشی، بین تمامی جهش یافتگان Nit M هر جدایه با جهش یافتگان nit1 یا nit3 سایر جدایه ها مقابله برقرار گردید. جدایه هایی که قادر به تشکیل هترکاریونهای پروتروف پایدار در حد فاصل پرگنه های سازگار Nit M، باnit1 یا nit 3 بودند, در یک گروه سازگاری رویشی قرار گرفتند. نماد تشکیل هترکاریون پروتروف، تشکیل خط رشدی متراکم از میسلیوم های هوایی در حد فاصل پرگنه ها در محیط کشت حداقل بعد از 7 تا 14 روز است. بر این اساس 8 گروه سازگاری رویشی به نام های VCG8, VCG7, VCG5, VCG4, VCG3, VCG2, VCG1 تعیین شد که در این میان VCG3, VCG2, VCG1 مربوط به جدایه های عامل پژمردگی، VCG4 شامل جدایه های عامل پژمردگی و پوسیدگی انتهایی ساقه،VCG5 شامل فقط یک عضو مربوط به پوسیدگی انتهایی ساقه، VCG7, VCG6 و VCG8 مربوط به جدایه های عامل پوسیدگی خشک فوزاریومی سیب زمینی بودند. به نظر میرسد بین جدایه های عامل پژمردگی و پوسیدگی انتهایی ساقه همولوژی ژنتیکی وجود داشته باشد. ارتباطی بین VCG و پراکنش جغرافیایی جدایه ها وجود نداشت. از آنجا که از گروه های سازگاری رویشی استاندارد (به علت عدم وجود آنها) استفاده نشده است، نامگذاری گروهها به روش معمول صورت نگرفته است.